场效应晶体管及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200410069834.4
申请日
2000-09-29
公开(公告)号
CN1560926A
公开(公告)日
2005-01-05
发明(设计)人
小野瑞城
申请人
申请人地址
日本神奈川县
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L21336
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人
王永刚
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
小野瑞城 .
中国专利 :CN1262017C ,2001-04-04
[2]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
手塚勉 ;
丰田英二 .
中国专利 :CN101404257A ,2009-04-08
[3]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
木下敦宽 ;
古贺淳二 .
中国专利 :CN1909247A ,2007-02-07
[4]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
李忠湖 ;
尹在万 ;
朴东健 ;
李哲 .
中国专利 :CN100492604C ,2005-08-31
[5]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
赫尔穆特·布雷克 .
中国专利 :CN1672263A ,2005-09-21
[6]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
D·曼杰 ;
T·施洛瑟 .
中国专利 :CN1971946A ,2007-05-30
[7]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
星真一 ;
伊藤正纪 ;
大来英之 ;
丸井俊治 .
中国专利 :CN101308796A ,2008-11-19
[8]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
李争刚 ;
袁刚 ;
彭楠 ;
杨帅 .
中国专利 :CN111029407A ,2020-04-17
[9]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
铃木龙太 .
日本专利 :CN120302682A ,2025-07-11
[10]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
藤森正成 ;
桥诘富博 ;
安藤正彦 .
中国专利 :CN100559625C ,2007-10-31