场效应晶体管及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200510065635.0
申请日
2005-02-08
公开(公告)号
CN100492604C
公开(公告)日
2005-08-31
发明(设计)人
李忠湖 尹在万 朴东健 李哲
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L218234 H01L2978 H01L27092
代理机构
北京市柳沈律师事务所
代理人
陶凤波;侯 宇
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
D·曼杰 ;
T·施洛瑟 .
中国专利 :CN1971946A ,2007-05-30
[2]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
小野瑞城 .
中国专利 :CN1560926A ,2005-01-05
[3]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
赫尔穆特·布雷克 .
中国专利 :CN1672263A ,2005-09-21
[4]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
小野瑞城 .
中国专利 :CN1262017C ,2001-04-04
[5]
场效应晶体管及其方法 [P]. 
B·格罗特 ;
S·R·梅霍特拉 ;
L·拉蒂克 ;
V·坎姆卡 ;
M·E·吉普森 .
中国专利 :CN109560137A ,2019-04-02
[6]
场效应晶体管及其方法 [P]. 
S·R·梅霍特拉 ;
L·拉蒂克 ;
B·格罗特 .
中国专利 :CN109560139A ,2019-04-02
[7]
场效应晶体管及其方法 [P]. 
S·R·梅霍特拉 ;
L·拉蒂克 ;
B·格罗特 .
中国专利 :CN109560138A ,2019-04-02
[8]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
手塚勉 ;
丰田英二 .
中国专利 :CN101404257A ,2009-04-08
[9]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
木下敦宽 ;
古贺淳二 .
中国专利 :CN1909247A ,2007-02-07
[10]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
布赖恩·塞奇·莫 ;
迪克·肖 ;
史蒂文·萨普 ;
伊萨克·本库亚 ;
迪安·爱德华·普罗布斯特 .
中国专利 :CN1227418A ,1999-09-01