场效应晶体管及其方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811120582.1
申请日
2018-09-25
公开(公告)号
CN109560139A
公开(公告)日
2019-04-02
发明(设计)人
S·R·梅霍特拉 L·拉蒂克 B·格罗特
申请人
申请人地址
美国得克萨斯
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L2940 H01L21336
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人
刘倜
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
场效应晶体管及其方法 [P]. 
S·R·梅霍特拉 ;
L·拉蒂克 ;
B·格罗特 .
中国专利 :CN109560138A ,2019-04-02
[2]
场效应晶体管及其方法 [P]. 
B·格罗特 ;
S·R·梅霍特拉 ;
L·拉蒂克 ;
V·坎姆卡 ;
M·E·吉普森 .
中国专利 :CN109560137A ,2019-04-02
[3]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
小野瑞城 .
中国专利 :CN1262017C ,2001-04-04
[4]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
小野瑞城 .
中国专利 :CN1560926A ,2005-01-05
[5]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
李忠湖 ;
尹在万 ;
朴东健 ;
李哲 .
中国专利 :CN100492604C ,2005-08-31
[6]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
赫尔穆特·布雷克 .
中国专利 :CN1672263A ,2005-09-21
[7]
场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
D·曼杰 ;
T·施洛瑟 .
中国专利 :CN1971946A ,2007-05-30
[8]
场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
肖德元 ;
张汝京 .
中国专利 :CN106601804A ,2017-04-26
[9]
半导体场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
佐泽洋幸 ;
清水三聪 ;
八木修一 ;
奥村元 .
中国专利 :CN101405850A ,2009-04-08
[10]
互补场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
肖德元 .
中国专利 :CN106601738A ,2017-04-26