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场效应晶体管及其方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201811120582.1
申请日
:
2018-09-25
公开(公告)号
:
CN109560139A
公开(公告)日
:
2019-04-02
发明(设计)人
:
S·R·梅霍特拉
L·拉蒂克
B·格罗特
申请人
:
申请人地址
:
美国得克萨斯
IPC主分类号
:
H01L2978
IPC分类号
:
H01L2940
H01L21336
代理机构
:
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人
:
刘倜
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-10-27
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20180925
2019-04-02
公开
公开
共 50 条
[1]
场效应晶体管及其方法
[P].
S·R·梅霍特拉
论文数:
0
引用数:
0
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0
S·R·梅霍特拉
;
L·拉蒂克
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L·拉蒂克
;
B·格罗特
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B·格罗特
.
中国专利
:CN109560138A
,2019-04-02
[2]
场效应晶体管及其方法
[P].
B·格罗特
论文数:
0
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B·格罗特
;
S·R·梅霍特拉
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S·R·梅霍特拉
;
L·拉蒂克
论文数:
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L·拉蒂克
;
V·坎姆卡
论文数:
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V·坎姆卡
;
M·E·吉普森
论文数:
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M·E·吉普森
.
中国专利
:CN109560137A
,2019-04-02
[3]
场效应晶体管及其制造方法
[P].
小野瑞城
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0
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0
小野瑞城
.
中国专利
:CN1262017C
,2001-04-04
[4]
场效应晶体管及其制造方法
[P].
小野瑞城
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小野瑞城
.
中国专利
:CN1560926A
,2005-01-05
[5]
场效应晶体管及其制造方法
[P].
李忠湖
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李忠湖
;
尹在万
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尹在万
;
朴东健
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朴东健
;
李哲
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李哲
.
中国专利
:CN100492604C
,2005-08-31
[6]
场效应晶体管及其制造方法
[P].
赫尔穆特·布雷克
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赫尔穆特·布雷克
.
中国专利
:CN1672263A
,2005-09-21
[7]
场效应晶体管及其制造方法
[P].
D·曼杰
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D·曼杰
;
T·施洛瑟
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0
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0
T·施洛瑟
.
中国专利
:CN1971946A
,2007-05-30
[8]
场效应晶体管及其制备方法
[P].
肖德元
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肖德元
;
张汝京
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张汝京
.
中国专利
:CN106601804A
,2017-04-26
[9]
半导体场效应晶体管及其制造方法
[P].
佐泽洋幸
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佐泽洋幸
;
清水三聪
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清水三聪
;
八木修一
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八木修一
;
奥村元
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0
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奥村元
.
中国专利
:CN101405850A
,2009-04-08
[10]
互补场效应晶体管及其制备方法
[P].
肖德元
论文数:
0
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0
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0
肖德元
.
中国专利
:CN106601738A
,2017-04-26
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