互补场效应晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510671009.X

申请日：

2015-10-15

公开(公告)号：

CN106601738A

公开(公告)日：

2017-04-26

发明(设计)人：

肖德元

申请人：

申请人地址：

201306 上海市浦东新区泥城镇云端路1412弄15号3层

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

金华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101721576906 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:201510671009X 申请日:20151015
2017-04-26	公开	公开
2018-08-24	授权	授权

共 50 条

[1]

场效应晶体管及其制备方法 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN106601804A ,2017-04-26

[2]

场效应晶体管及其制备方法 [P].

卢年端 ;

李泠 ;

揣喜臣 ;

杨冠华 ;

耿玓 ;

刘明 .

中国专利 :CN110098256A ,2019-08-06

[3]

场效应晶体管及其制备方法 [P].

徐慧龙 ;

肖祥 ;

李伟 .

中国专利 :CN110323277B ,2021-01-29

[4]

场效应晶体管及其方法 [P].

B·格罗特 ;

S·R·梅霍特拉 ;

L·拉蒂克 ;

V·坎姆卡 ;

M·E·吉普森 .

中国专利 :CN109560137A ,2019-04-02

[5]

场效应晶体管及其方法 [P].

S·R·梅霍特拉 ;

L·拉蒂克 ;

B·格罗特 .

中国专利 :CN109560139A ,2019-04-02

[6]

晶体管、互补场效应晶体管及制备方法 [P].

殷华湘 ;

胥杰 ;

曹磊 ;

余宇哲 ;

张青竹 .

中国专利 :CN120417436A ,2025-08-01

[7]

场效应晶体管及其制造方法、互补场效应晶体管 [P].

笠井直记 ;

中原宁 ;

木村央 ;

深井利宪 .

中国专利 :CN100474611C ,2006-02-22

[8]

场效应晶体管及其方法 [P].

S·R·梅霍特拉 ;

L·拉蒂克 ;

B·格罗特 .

中国专利 :CN109560138A ,2019-04-02

[9]

场效应晶体管及其制备方法 [P].

刘明 ;

韩买兴 ;

姬濯宇 ;

商立伟 ;

刘欣 ;

王宏 .

中国专利 :CN102479820A ,2012-05-30

[10]

场效应晶体管及其制备方法 [P].

黄晓橹 .

中国专利 :CN104599968A ,2015-05-06

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