场效应晶体管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810264930.6

申请日：

2018-03-28

公开(公告)号：

CN110323277B

公开(公告)日：

2021-01-29

发明(设计)人：

徐慧龙肖祥李伟

申请人：

申请人地址：

518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2916 H01L2906 H01L21336

代理机构：

北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329

代理人：

孙涛;毛威

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20180328
2021-01-29	授权	授权

共 50 条

[1]

场效应晶体管及其制备方法 [P].

卢年端 ;

李泠 ;

揣喜臣 ;

杨冠华 ;

耿玓 ;

刘明 .

中国专利 :CN110098256A ,2019-08-06

[2]

场效应晶体管及其制备方法 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN106601804A ,2017-04-26

[3]

场效应晶体管及场效应晶体管的制备方法 [P].

徐慧龙 ;

秦旭东 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN108475680A ,2018-08-31

[4]

互补场效应晶体管及其制备方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN106601738A ,2017-04-26

[5]

场效应晶体管及其方法 [P].

B·格罗特 ;

S·R·梅霍特拉 ;

L·拉蒂克 ;

V·坎姆卡 ;

M·E·吉普森 .

中国专利 :CN109560137A ,2019-04-02

[6]

场效应晶体管及其方法 [P].

S·R·梅霍特拉 ;

L·拉蒂克 ;

B·格罗特 .

中国专利 :CN109560139A ,2019-04-02

[7]

场效应晶体管及其方法 [P].

S·R·梅霍特拉 ;

L·拉蒂克 ;

B·格罗特 .

中国专利 :CN109560138A ,2019-04-02

[8]

场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P].

卢年端 ;

揣喜臣 ;

杨冠华 ;

李泠 ;

耿玓 ;

刘明 .

中国专利 :CN110061063A ,2019-07-26

[9]

场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P].

揣喜臣 ;

卢年端 ;

杨冠华 ;

李泠 ;

耿玓 ;

刘明 .

中国专利 :CN110112073A ,2019-08-09

[10]

场效应晶体管及其制备方法 [P].

刘明 ;

韩买兴 ;

姬濯宇 ;

商立伟 ;

刘欣 ;

王宏 .

中国专利 :CN102479820A ,2012-05-30

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