场效应晶体管及场效应晶体管的制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN201680077935.7
申请日
2016-02-05
公开(公告)号
CN108475680A
公开(公告)日
2018-08-31
发明(设计)人
徐慧龙 秦旭东 张臣雄
申请人
申请人地址
518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
IPC主分类号
H01L27108
IPC分类号
代理机构
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人
郝传鑫;熊永强
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P]. 
B·J·帕夫拉克 .
中国专利 :CN1934686B ,2007-03-21
[2]
场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P]. 
穆吉塔巴·朱达基 .
中国专利 :CN1905210A ,2007-01-31
[3]
场效应晶体管及形成场效应晶体管的方法 [P]. 
A·库马尔 .
中国专利 :CN101436612A ,2009-05-20
[4]
场效应晶体管及形成场效应晶体管的方法 [P]. 
黄奕泉 .
中国专利 :CN105322004B ,2016-02-10
[5]
场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P]. 
卢年端 ;
揣喜臣 ;
杨冠华 ;
李泠 ;
耿玓 ;
刘明 .
中国专利 :CN110061063A ,2019-07-26
[6]
场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P]. 
揣喜臣 ;
卢年端 ;
杨冠华 ;
李泠 ;
耿玓 ;
刘明 .
中国专利 :CN110112073A ,2019-08-09
[7]
场效应晶体管 [P]. 
吴同飞 .
中国专利 :CN119653837A ,2025-03-18
[8]
场效应晶体管及制造场效应晶体管的方法 [P]. 
相马充 .
中国专利 :CN114823869A ,2022-07-29
[9]
场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P]. 
赵圣哲 .
中国专利 :CN106158665A ,2016-11-23
[10]
场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P]. 
马万里 ;
赵圣哲 .
中国专利 :CN107104050A ,2017-08-29