共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201510197083.2
申请日：
2015-04-23
公开(公告)号：
CN106158665A
公开(公告)日：
2016-11-23
发明(设计)人：
赵圣哲
申请人：
申请人地址：
100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层
IPC主分类号：
H01L21337
IPC分类号：
H01L29808
H01L2906
代理机构：
北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343
代理人：
尚志峰;汪海屏
法律状态：
公开
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2016-11-23 | 公开 | 公开 |
| 2016-12-21 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101692523618 IPC(主分类):H01L 21/337 专利申请号:2015101970832 申请日:20150423 |
| 2022-08-05 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/337 登记生效日:20220725 变更事项:专利权人 变更前权利人:北大方正集团有限公司 变更后权利人:深圳方正微电子有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 变更后权利人:518116 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路5号方正微电子工业园 变更事项:专利权人 变更前权利人:深圳方正微电子有限公司 |
| 2019-06-11 | 授权 | 授权 |