场效应晶体管制备方法及场效应晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910326880.4

申请日：

2019-04-22

公开(公告)号：

CN110112073A

公开(公告)日：

2019-08-09

发明(设计)人：

揣喜臣卢年端杨冠华李泠耿玓刘明

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2134

IPC分类号：

H01L21336 H01L2978

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

李佳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-24	授权	授权
2019-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/34 申请日:20190422
2019-08-09	公开	公开

共 50 条

[1]

场效应晶体管制备方法及场效应晶体管 [P].

卢年端 ;

揣喜臣 ;

杨冠华 ;

李泠 ;

耿玓 ;

刘明 .

中国专利 :CN110061063A ,2019-07-26

[2]

场效应晶体管及其制备方法 [P].

卢年端 ;

李泠 ;

揣喜臣 ;

杨冠华 ;

耿玓 ;

刘明 .

中国专利 :CN110098256A ,2019-08-06

[3]

场效应晶体管 [P].

村濑清一郎 ;

山本真衣子 ;

真多淳二 ;

清水浩二 .

中国专利 :CN105190901A ,2015-12-23

[4]

场效应晶体管制造方法及场效应晶体管 [P].

李伟 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN109643655B ,2019-04-16

[5]

场效应晶体管 [P].

野本和正 .

中国专利 :CN1905230A ,2007-01-31

[6]

场效应晶体管 [P].

李珉贤 ;

薛珉洙 ;

赵连柱 ;

申铉振 .

中国专利 :CN113497138A ,2021-10-12

[7]

场效应晶体管 [P].

天清宗山 ;

户塚正裕 .

中国专利 :CN101853879B ,2010-10-06

[8]

场效应晶体管 [P].

井腰文智 ;

桥诘真吾 ;

引田正洋 ;

山际优人 ;

柳原学 .

中国专利 :CN102194866A ,2011-09-21

[9]

场效应晶体管 [P].

胁田尚英 ;

田中健一郎 ;

石田昌宏 ;

田村聪之 ;

柴田大辅 .

中国专利 :CN103038869B ,2013-04-10

[10]

场效应晶体管 [P].

荒牧晋司 ;

芳山龙一 ;

大野玲 ;

酒井良正 .

中国专利 :CN101032031A ,2007-09-05

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