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场效应晶体管及制造场效应晶体管的方法

被引：0
申请号：
CN202210105962.8
申请日：
2022-01-28
公开(公告)号：
CN114823869A
公开(公告)日：
2022-07-29
发明(设计)人：
相马充
申请人：
申请人地址：
美国亚利桑那州
IPC主分类号：
H01L2910
IPC分类号：
H01L29423 H01L2978 H01L21336 H01L2128
代理机构：
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人：
张玮;姚开丽
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-07-29 公开 公开
共 50 条
[1]
场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P]. 
B·J·帕夫拉克 .
中国专利 :CN1934686B ,2007-03-21
[2]
场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法 [P]. 
椿茂树 .
中国专利 :CN1819270A ,2006-08-16
[3]
场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P]. 
穆吉塔巴·朱达基 .
中国专利 :CN1905210A ,2007-01-31
[4]
场效应晶体管及形成场效应晶体管的方法 [P]. 
A·库马尔 .
中国专利 :CN101436612A ,2009-05-20
[5]
场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法 [P]. 
H·戈斯纳 .
中国专利 :CN1866541A ,2006-11-22
[6]
场效应晶体管及场效应晶体管的制备方法 [P]. 
徐慧龙 ;
秦旭东 ;
张臣雄 .
中国专利 :CN108475680A ,2018-08-31
[7]
场效应晶体管及形成场效应晶体管的方法 [P]. 
黄奕泉 .
中国专利 :CN105322004B ,2016-02-10
[8]
场效应晶体管和用于制造场效应晶体管的方法 [P]. 
D·克雷布斯 .
德国专利 :CN118899338A ,2024-11-05
[9]
场效应晶体管及其制造方法、互补场效应晶体管 [P]. 
笠井直记 ;
中原宁 ;
木村央 ;
深井利宪 .
中国专利 :CN100474611C ,2006-02-22
[10]
制造场效应晶体管的方法 [P]. 
Ｄ·列斯托 ;
Ａ·梅斯基特·屈斯特斯 .
中国专利 :CN1080457C ,1998-03-04
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