制造场效应晶体管的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97115399.X

申请日：

1997-08-06

公开(公告)号：

CN1080457C

公开(公告)日：

1998-03-04

发明(设计)人：

Ｄ·列斯托Ａ·梅斯基特·屈斯特斯

申请人：

申请人地址：

联邦德国慕尼黑

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L29772

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

马铁良;萧掬昌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1998-03-04	公开	公开
2004-03-31	专利申请权、专利权的转移专利权的转移	专利申请权、专利权的转移专利权的转移变更后权利人:匈牙利松博特海伊变更前权利人:联邦德国慕尼黑变更事项:地址变更事项:专利权人变更前权利人:西门子公司变更后权利人:特里奎恩特匈牙利控股有限公司登记生效日:20040205
2006-10-04	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-03-06	授权	授权
2004-03-31	专利申请权、专利权的转移专利权的转移	专利申请权、专利权的转移专利权的转移变更后权利人:联邦德国慕尼黑变更前权利人:匈牙利松博特海伊变更事项:地址变更事项:专利权人变更前权利人:特里奎恩特匈牙利控股有限公司变更后权利人:特里奎恩特半导体有限责任公司登记生效日:20040205
1998-02-11	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

场效应晶体管及制造场效应晶体管的方法 [P].

相马充 .

中国专利 :CN114823869A ,2022-07-29

[2]

场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法 [P].

椿茂树 .

中国专利 :CN1819270A ,2006-08-16

[3]

场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法 [P].

H·戈斯纳 .

中国专利 :CN1866541A ,2006-11-22

[4]

场效应晶体管和用于制造场效应晶体管的方法 [P].

D·克雷布斯 .

德国专利 :CN118899338A ,2024-11-05

[5]

场效应晶体管、制造场效应晶体管的方法及电子器件 [P].

梁世博 .

中国专利 :CN108054209B ,2018-05-18

[6]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

B·J·帕夫拉克 .

中国专利 :CN1934686B ,2007-03-21

[7]

场效应晶体管、制造场效应晶体管的方法及电子器件 [P].

梁世博 .

中国专利 :CN108091698A ,2018-05-29

[8]

用于制造场效应晶体管的方法 [P].

松本真二 ;

植田尚之 ;

中村有希 ;

安部由希子 ;

曾根雄司 ;

早乙女辽一 ;

新江定宪 ;

草柳岭秀 .

中国专利 :CN108780756B ,2018-11-09

[9]

场效应晶体管的制造方法及其形成的场效应晶体管 [P].

翁文寅 .

中国专利 :CN114068410A ,2022-02-18

[10]

用于制造场效应晶体管器件的方法 [P].

L·F·艾杰 ;

M·M·弗兰克 ;

B·S·哈伦 ;

A·英拿达 ;

S·K·卡纳卡萨巴帕西 ;

A·科努尔 ;

V·纳拉亚南 ;

V·K·帕鲁楚利 ;

徐顺天 .

中国专利 :CN103871895A ,2014-06-18

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