场效应晶体管及其制造方法、互补场效应晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510092746.0

申请日：

2005-08-19

公开(公告)号：

CN100474611C

公开(公告)日：

2006-02-22

发明(设计)人：

笠井直记中原宁木村央深井利宪

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L2904

IPC分类号：

H01L2978 H01L27092 H01L21336 H01L218238

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

穆德骏;陆锦华

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-10-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101628409625 IPC(主分类):H01L 29/04 专利号:ZL2005100927460 申请日:20050819 授权公告日:20090401 终止日期:20140819
2011-01-05	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101058486696 IPC(主分类):H01L 29/04 专利号:ZL2005100927460 变更事项:专利权人变更前:恩益禧电子股份有限公司变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川变更后:日本神奈川变更事项:共同专利权人变更前:日本电气株式会社变更后:日本电气株式会社
2006-04-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-02-22	公开	公开
2009-04-01	授权	授权

共 50 条

[1]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

B·J·帕夫拉克 .

中国专利 :CN1934686B ,2007-03-21

[2]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

穆吉塔巴·朱达基 .

中国专利 :CN1905210A ,2007-01-31

[3]

场效应晶体管及制造场效应晶体管的方法 [P].

相马充 .

中国专利 :CN114823869A ,2022-07-29

[4]

场效应晶体管及形成场效应晶体管的方法 [P].

A·库马尔 .

中国专利 :CN101436612A ,2009-05-20

[5]

场效应晶体管及场效应晶体管的制备方法 [P].

徐慧龙 ;

秦旭东 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN108475680A ,2018-08-31

[6]

场效应晶体管及形成场效应晶体管的方法 [P].

黄奕泉 .

中国专利 :CN105322004B ,2016-02-10

[7]

场效应晶体管 [P].

竹中功 ;

麻埜和则 ;

石仓幸治 .

中国专利 :CN101894863B ,2010-11-24

[8]

场效应晶体管 [P].

野本和正 .

中国专利 :CN1905230A ,2007-01-31

[9]

场效应晶体管 [P].

宫本广信 ;

安藤裕二 ;

冈本康宏 ;

中山达峰 ;

井上隆 ;

大田一树 ;

分岛彰男 ;

笠原健资 ;

村濑康裕 ;

松永高治 ;

山之口胜己 ;

岛胁秀德 .

中国专利 :CN101976686A ,2011-02-16

[10]

场效应晶体管 [P].

李珉贤 ;

薛珉洙 ;

赵连柱 ;

申铉振 .

中国专利 :CN113497138A ,2021-10-12

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