晶体管、互补场效应晶体管及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510345007.5

申请日：

2025-03-21

公开(公告)号：

CN120417436A

公开(公告)日：

2025-08-01

发明(设计)人：

殷华湘胥杰曹磊余宇哲张青竹

申请人：

中国科学院微电子研究所

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H10D30/62

IPC分类号：

H10D64/23 H10D30/01 H10D84/01 H10D84/85

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司 11619

代理人：

程杰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/62申请日:20250321
2025-08-01	公开	公开

共 50 条

[1]

场效应晶体管及其制造方法、互补场效应晶体管 [P].

笠井直记 ;

中原宁 ;

木村央 ;

深井利宪 .

中国专利 :CN100474611C ,2006-02-22

[2]

互补场效应晶体管及其制备方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN106601738A ,2017-04-26

[3]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

B·J·帕夫拉克 .

中国专利 :CN1934686B ,2007-03-21

[4]

场效应晶体管及形成场效应晶体管的方法 [P].

A·库马尔 .

中国专利 :CN101436612A ,2009-05-20

[5]

晶体管及其制备方法与场效应晶体管 [P].

邱乐山 ;

白云 ;

刘新宇 ;

王家乐 ;

田晓丽 ;

汤益丹 ;

郝继龙 ;

李轩 .

中国专利 :CN120980913A ,2025-11-18

[6]

场效应晶体管及场效应晶体管的制备方法 [P].

徐慧龙 ;

秦旭东 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN108475680A ,2018-08-31

[7]

晶体管及其制备方法与场效应晶体管 [P].

邱乐山 ;

白云 ;

刘新宇 ;

王家乐 ;

田晓丽 ;

汤益丹 ;

郝继龙 ;

李轩 .

中国专利 :CN120711774A ,2025-09-26

[8]

场效应晶体管及其制备方法 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN106601804A ,2017-04-26

[9]

场效应晶体管 [P].

G·恩德斯 ;

B·菲斯彻 ;

H·施内德 ;

P·沃伊特 .

中国专利 :CN100477260C ,2004-10-27

[10]

场效应晶体管 [P].

高谷秀史 .

日本专利 :CN119234316A ,2024-12-31

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