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晶体管及其制备方法与场效应晶体管

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510516708.0
申请日：
2025-04-23
公开(公告)号：
CN120980913A
公开(公告)日：
2025-11-18
发明(设计)人：
邱乐山 白云 刘新宇 王家乐 田晓丽 汤益丹 郝继龙 李轩
申请人：
中国科学院微电子研究所
申请人地址：
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号：
H10D30/60
IPC分类号：
H10D30/01 H10D62/832
代理机构：
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人：
程杰
法律状态：
公开
国省代码：
北京市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-18 公开 公开
2025-12-05 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/60申请日:20250423
共 50 条
[1]
晶体管及其制备方法与场效应晶体管 [P]. 
邱乐山 ;
白云 ;
刘新宇 ;
王家乐 ;
田晓丽 ;
汤益丹 ;
郝继龙 ;
李轩 .
中国专利 :CN120711774A ,2025-09-26
[2]
晶体管、互补场效应晶体管及制备方法 [P]. 
殷华湘 ;
胥杰 ;
曹磊 ;
余宇哲 ;
张青竹 .
中国专利 :CN120417436A ,2025-08-01
[3]
场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P]. 
B·J·帕夫拉克 .
中国专利 :CN1934686B ,2007-03-21
[4]
场效应晶体管及形成场效应晶体管的方法 [P]. 
A·库马尔 .
中国专利 :CN101436612A ,2009-05-20
[5]
场效应晶体管及场效应晶体管的制备方法 [P]. 
徐慧龙 ;
秦旭东 ;
张臣雄 .
中国专利 :CN108475680A ,2018-08-31
[6]
场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
黄晓橹 .
中国专利 :CN104599968A ,2015-05-06
[7]
场效应晶体管及其方法 [P]. 
B·格罗特 ;
S·R·梅霍特拉 ;
L·拉蒂克 ;
V·坎姆卡 ;
M·E·吉普森 .
中国专利 :CN109560137A ,2019-04-02
[8]
场效应晶体管及其方法 [P]. 
S·R·梅霍特拉 ;
L·拉蒂克 ;
B·格罗特 .
中国专利 :CN109560139A ,2019-04-02
[9]
场效应晶体管及其制备方法 [P]. 
肖德元 ;
张汝京 .
中国专利 :CN106601804A ,2017-04-26
[10]
场效应晶体管及其方法 [P]. 
S·R·梅霍特拉 ;
L·拉蒂克 ;
B·格罗特 .
中国专利 :CN109560138A ,2019-04-02
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