场效应晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610172830.8

申请日：

1998-11-13

公开(公告)号：

CN1983597A

公开(公告)日：

2007-06-20

发明(设计)人：

布赖恩·塞奇·莫迪克·肖史蒂文·萨普伊萨克·本库亚迪安·爱德华·普罗布斯特

申请人：

申请人地址：

美国缅因州

IPC主分类号：

H01L27088

IPC分类号：

H01L2978 H01L2910 H01L218234 H01L21336

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

顾嘉运

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-11	授权	授权
2007-06-20	公开	公开
2018-12-07	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:19981113 授权公告日:20090211
2007-08-15	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

布赖恩·塞奇·莫 ;

迪克·肖 ;

史蒂文·萨普 ;

伊萨克·本库亚 ;

迪安·爱德华·普罗布斯特 .

中国专利 :CN1227418A ,1999-09-01

[2]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

小野瑞城 .

中国专利 :CN1560926A ,2005-01-05

[3]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

李忠湖 ;

尹在万 ;

朴东健 ;

李哲 .

中国专利 :CN100492604C ,2005-08-31

[4]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

赫尔穆特·布雷克 .

中国专利 :CN1672263A ,2005-09-21

[5]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

D·曼杰 ;

T·施洛瑟 .

中国专利 :CN1971946A ,2007-05-30

[6]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

李争刚 ;

袁刚 ;

彭楠 ;

杨帅 .

中国专利 :CN111029407A ,2020-04-17

[7]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

铃木龙太 .

日本专利 :CN120302682A ,2025-07-11

[8]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

蔡宗叡 .

中国专利 :CN111048418A ,2020-04-21

[9]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

斋藤顺 ;

辻村理俊 .

中国专利 :CN115706166A ,2023-02-17

[10]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

小野瑞城 .

中国专利 :CN1262017C ,2001-04-04

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