一种GaN基HEMT器件外延结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711443679.1

申请日：

2017-12-27

公开(公告)号：

CN108364997A

公开(公告)日：

2018-08-03

发明(设计)人：

何佳琦王书昶孙智江

申请人：

申请人地址：

226500 江苏省南通市如皋市高新开发区光电科技产业园8号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29778

代理机构：

北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316

代理人：

滑春生

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20171227
2018-08-03	公开	公开
2021-01-29	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/06 申请公布日:20180803

共 50 条

[1]

GaN基HEMT器件、器件外延结构及其制备方法 [P].

马旺 ;

陈龙 ;

程静云 ;

陈祖尧 ;

王洪朝 ;

袁理 .

中国专利 :CN113793868A ,2021-12-14

[2]

GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117727773B ,2024-04-19

[3]

GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117727773A ,2024-03-19

[4]

一种GaN基HEMT器件结构 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN222509862U ,2025-02-18

[5]

一种GaN基HEMT器件结构 [P].

李利哲 ;

王国斌 .

中国专利 :CN216311791U ,2022-04-15

[6]

一种GaN基HEMT器件结构 [P].

白俊春 ;

汪福进 ;

程斌 ;

张文君 ;

李海文 ;

平加峰 .

中国专利 :CN220652021U ,2024-03-22

[7]

GaN基HEMT器件栅极结构 [P].

黄森 ;

刘新宇 ;

王鑫华 ;

康玄武 ;

魏珂 .

中国专利 :CN106549051A ,2017-03-29

[8]

一种GaN基倒装HEMT器件结构 [P].

徐明升 ;

周泉斌 ;

王洪 .

中国专利 :CN204946885U ,2016-01-06

[9]

一种GaN基HEMT器件 [P].

陈万军 ;

王方洲 ;

许晓锐 ;

孙瑞泽 ;

信亚杰 ;

夏云 ;

刘超 ;

张波 .

中国专利 :CN111490101B ,2020-08-04

[10]

一种GaN基HEMT器件 [P].

文正 ;

孟迪 ;

林书勋 ;

郝一龙 ;

吴文刚 .

中国专利 :CN104167438A ,2014-11-26

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