集成栅保护结构的GaN HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110425872.2

申请日：

2021-04-20

公开(公告)号：

CN113113484A

公开(公告)日：

2021-07-13

发明(设计)人：

倪炜江

申请人：

申请人地址：

241000 安徽省芜湖市弋江区芜湖高新技术产业开发区服务外包产业园3号楼1804

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L29423 H01L21335

代理机构：

芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107

代理人：

钟雪

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20210420
2021-07-13	公开	公开

共 50 条

[1]

多栅结构的GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

郑礼锭 ;

余阳 ;

李仁杰 ;

王东歌 ;

高枫 .

中国专利 :CN114937598A ,2022-08-23

[2]

GaN HEMT集成器件及其制备方法 [P].

许明伟 ;

李海滨 ;

樊晓兵 .

中国专利 :CN112768409A ,2021-05-07

[3]

具有空腔栅结构的GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

周国 ;

谭永亮 ;

高渊 ;

吕鑫 ;

张力江 ;

崔玉兴 .

中国专利 :CN114121654A ,2022-03-01

[4]

凹槽栅型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

马飞 .

中国专利 :CN117438457B ,2024-03-22

[5]

凹槽栅型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

马飞 .

中国专利 :CN117438457A ,2024-01-23

[6]

GaN HEMT器件制备方法及GaN HEMT器件 [P].

李亦衡 ;

朱廷刚 ;

武乐可 ;

王强 ;

黄克强 ;

秦佳明 ;

魏鸿源 ;

夏远洋 .

中国专利 :CN116631960B ,2024-04-05

[7]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

古佳茜 .

中国专利 :CN117790538A ,2024-03-29

[8]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

王路宇 ;

张鹏浩 ;

徐敏 ;

陈鲲 ;

潘茂林 ;

王强 ;

谢欣灵 ;

黄海 ;

黄自强 ;

徐赛生 ;

王晨 ;

张卫 .

中国专利 :CN116313796B ,2025-07-18

[9]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

古佳茜 .

中国专利 :CN117790538B ,2024-06-21

[10]

GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

刘新科 ;

陈春燕 ;

范康凯 ;

李一阳 ;

钟智祥 ;

黎晓华 ;

王铠丰 ;

何军 ;

刘河洲 .

中国专利 :CN121001376A ,2025-11-21

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