多栅极场板结构HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011512867.7

申请日：

2020-12-20

公开(公告)号：

CN112635552A

公开(公告)日：

2021-04-09

发明(设计)人：

孙慧卿夏晓宇夏凡马建铖李渊谭秀洋张淼郭志友黄志辉丁霄王鹏霖

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市天河区中山大道西55号半导体科学与技术研究院

IPC主分类号：

H01L2940

IPC分类号：

H01L29778 H01L21335

代理机构：

北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11919

代理人：

仵乐娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/40 申请日:20201220
2021-04-09	公开	公开

共 50 条

[1]

具有场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P].

王黎明 ;

肖霞 ;

何雍春 .

中国专利 :CN113035943A ,2021-06-25

[2]

具有背面场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P].

董志华 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103715257B ,2014-04-09

[3]

一种HEMT器件、栅极场板结构及其制造方法 [P].

张志 ;

王凡 ;

陈雪磊 ;

刘庆波 ;

黎子兰 .

中国专利 :CN118675979A ,2024-09-20

[4]

一种HEMT器件、栅极场板结构及其制造方法 [P].

张志 ;

陈雪磊 ;

刘庆波 ;

黎子兰 .

中国专利 :CN118675980A ,2024-09-20

[5]

一种背面场板结构HEMT器件及其制备方法 [P].

吴华龙 ;

赵维 ;

何晨光 ;

张康 ;

贺龙飞 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN107611107A ,2018-01-19

[6]

具有背场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P].

李国强 ;

陈丁波 ;

刘智崑 ;

万利军 .

中国专利 :CN108231882A ,2018-06-29

[7]

具有背场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P].

李国强 ;

陈丁波 ;

刘智崑 ;

万利军 .

中国专利 :CN108231882B ,2024-12-31

[8]

具有背面场板结构的MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

董志华 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103730492B ,2014-04-16

[9]

漏极阶梯场板结构射频HEMT器件及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

黄志辉 ;

丁霄 ;

王鹏霖 ;

郭志友 .

中国专利 :CN112993032A ,2021-06-18

[10]

具有背面场板结构的增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

董志华 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103730360B ,2014-04-16

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