引入p-NiO RESURF和场板结构的HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410355361.1

申请日：

2024-03-27

公开(公告)号：

CN118156304A

公开(公告)日：

2024-06-07

发明(设计)人：

郭慧贡瑞苓陈敦军张荣

申请人：

南京大学

申请人地址：

210023 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号

IPC主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/423 H01L29/06 H01L29/40 H01L21/335

代理机构：

江苏斐多律师事务所 32332

代理人：

张佳妮

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-07	公开	公开
2024-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20240327

共 50 条

[1]

具有场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P].

王黎明 ;

肖霞 ;

何雍春 .

中国专利 :CN113035943A ,2021-06-25

[2]

多栅极场板结构HEMT器件及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

夏晓宇 ;

夏凡 ;

马建铖 ;

李渊 ;

谭秀洋 ;

张淼 ;

郭志友 ;

黄志辉 ;

丁霄 ;

王鹏霖 .

中国专利 :CN112635552A ,2021-04-09

[3]

具有背面场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P].

董志华 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103715257B ,2014-04-09

[4]

具有背场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P].

李国强 ;

陈丁波 ;

刘智崑 ;

万利军 .

中国专利 :CN108231882A ,2018-06-29

[5]

具有背场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P].

李国强 ;

陈丁波 ;

刘智崑 ;

万利军 .

中国专利 :CN108231882B ,2024-12-31

[6]

具有背面场板结构的MIS-HEMT器件及其制备方法 [P].

董志华 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103730492B ,2014-04-16

[7]

漏极阶梯场板结构射频HEMT器件及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

黄志辉 ;

丁霄 ;

王鹏霖 ;

郭志友 .

中国专利 :CN112993032A ,2021-06-18

[8]

具有背面场板结构的增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

董志华 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103730360B ,2014-04-16

[9]

具有背面场板结构的增强型MIS‑HEMT器件及其制备方法 [P].

董志华 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103715235B ,2014-04-09

[10]

一种背面场板结构HEMT器件及其制备方法 [P].

吴华龙 ;

赵维 ;

何晨光 ;

张康 ;

贺龙飞 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN107611107A ,2018-01-19

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