具有栅场板结构的横向功率器件及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210357476.5

申请日：

2022-04-07

公开(公告)号：

CN114429985A

公开(公告)日：

2022-05-03

发明(设计)人：

于绍欣高沛雄赵晓龙

申请人：

申请人地址：

510700 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号

IPC主分类号：

H01L2940

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

罗泳文

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-21	授权	授权
2022-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/40 申请日:20220407
2022-05-03	公开	公开

共 50 条

[1]

具有场板结构的横向功率器件 [P].

魏星 ;

徐大伟 ;

狄增峰 ;

方子韦 .

中国专利 :CN103762237A ,2014-04-30

[2]

具有复合栅介质的横向功率器件 [P].

魏星 ;

徐大伟 ;

狄增峰 ;

方子韦 .

中国专利 :CN103762229B ,2014-04-30

[3]

具有混合导电模式的横向功率器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

崔晓楠 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN107808899A ,2018-03-16

[4]

具有混合导电模式的横向功率器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

彭鑫 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN107785414A ,2018-03-09

[5]

具有场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P].

王黎明 ;

肖霞 ;

何雍春 .

中国专利 :CN113035943A ,2021-06-25

[6]

功率器件中斜坡场板结构的制备方法 [P].

郭晓波 .

中国专利 :CN104576345A ,2015-04-29

[7]

具有场板结构的低栅电荷器件及其制造方法 [P].

吴健 .

中国专利 :CN111463263B ,2020-07-28

[8]

空气栅场板结构及其制备方法 [P].

吕奇峰 .

中国专利 :CN120282510A ,2025-07-08

[9]

一种具有多场板结构的氮化镓功率器件及其制备方法 [P].

王书昶 ;

穆久涛 ;

冯源 ;

况亚伟 ;

张惠国 .

中国专利 :CN111370483A ,2020-07-03

[10]

具有背场板结构的HEMT器件及其制备方法 [P].

李国强 ;

陈丁波 ;

刘智崑 ;

万利军 .

中国专利 :CN108231882A ,2018-06-29

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