学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
一种具有多场板结构的氮化镓功率器件及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010123752.2
申请日
:
2020-02-27
公开(公告)号
:
CN111370483A
公开(公告)日
:
2020-07-03
发明(设计)人
:
王书昶
穆久涛
冯源
况亚伟
张惠国
申请人
:
申请人地址
:
215500 江苏省苏州市常熟市南三环路99号
IPC主分类号
:
H01L29778
IPC分类号
:
H01L2906
H01L2915
H01L2940
H01L29423
H01L21335
代理机构
:
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204
代理人
:
张俊范
法律状态
:
公开
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-07-03
公开
公开
2020-07-28
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20200227
共 50 条
[1]
一种具有多场板结构的氮化镓功率器件
[P].
王书昶
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王书昶
;
穆久涛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
穆久涛
;
冯源
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
冯源
;
况亚伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
况亚伟
;
张惠国
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张惠国
.
中国专利
:CN211858659U
,2020-11-03
[2]
一种具有高可靠性的氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
王书昶
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王书昶
;
冯源
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
冯源
;
穆久涛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
穆久涛
;
张哲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张哲
;
张惠国
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张惠国
.
中国专利
:CN111261714A
,2020-06-09
[3]
氮化镓功率器件的制备方法、氮化镓功率器件
[P].
刘君梦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
刘君梦
;
叶念慈
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
叶念慈
;
刘成
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
刘成
;
王哲力
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
王哲力
;
梁玉玉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
梁玉玉
.
中国专利
:CN118280836A
,2024-07-02
[4]
一种氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
伍震威
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
安建科技有限公司
安建科技有限公司
伍震威
;
单建安
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
安建科技有限公司
安建科技有限公司
单建安
.
中国专利
:CN120980907A
,2025-11-18
[5]
一种氮化镓功率器件结构及其制备方法
[P].
陈兴
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈兴
;
王东
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王东
;
吴勇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
吴勇
;
汪琼
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
汪琼
;
陆俊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陆俊
;
何滇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
何滇
;
严伟伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
严伟伟
;
曾文秀
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
曾文秀
;
张进成
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张进成
.
中国专利
:CN110854193A
,2020-02-28
[6]
一种具有新型场板的氮化镓功率器件结构
[P].
刘勇
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
成都氮矽科技有限公司
成都氮矽科技有限公司
刘勇
;
罗鹏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
成都氮矽科技有限公司
成都氮矽科技有限公司
罗鹏
;
刘家才
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
成都氮矽科技有限公司
成都氮矽科技有限公司
刘家才
;
朱仁强
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
成都氮矽科技有限公司
成都氮矽科技有限公司
朱仁强
.
中国专利
:CN223080398U
,2025-07-08
[7]
氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
刘昊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
刘昊
;
叶念慈
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
叶念慈
;
刘成
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
刘成
;
陈奋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
陈奋
;
陈泓
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
陈泓
;
徐涵
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
徐涵
;
付杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
付杰
;
张辉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
张辉
.
中国专利
:CN119096369A
,2024-12-06
[8]
氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
林育赐
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
林育赐
;
李伟聪
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
李伟聪
;
姜春亮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
姜春亮
;
梁志锦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
梁志锦
.
中国专利
:CN120379296B
,2025-09-05
[9]
氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
张葶葶
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张葶葶
;
李亦衡
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李亦衡
;
王东盛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王东盛
;
苗操
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
苗操
;
魏鸿源
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
魏鸿源
;
严文胜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
严文胜
;
朱廷刚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朱廷刚
.
中国专利
:CN105355665A
,2016-02-24
[10]
氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
郝荣晖
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
深圳镓楠半导体科技有限公司
深圳镓楠半导体科技有限公司
郝荣晖
.
中国专利
:CN119835968A
,2025-04-15
←
1
2
3
4
5
→