空气栅场板结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311862640.9

申请日：

2023-12-29

公开(公告)号：

CN120282510A

公开(公告)日：

2025-07-08

发明(设计)人：

吕奇峰

申请人：

苏州能讯高能半导体有限公司

申请人地址：

215300 江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D64/27 H01L21/283

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

荣颖佳

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-08	公开	公开
2025-07-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20231229

共 50 条

[1]

具有栅场板结构的横向功率器件及其制备方法 [P].

于绍欣 ;

高沛雄 ;

赵晓龙 .

中国专利 :CN114429985A ,2022-05-03

[2]

具有场板结构的低栅电荷器件及其制造方法 [P].

吴健 .

中国专利 :CN111463263B ,2020-07-28

[3]

一种GaN基HEMT器件栅场板结构的制备方法 [P].

蔡树军 ;

魏应强 .

中国专利 :CN117594445A ,2024-02-23

[4]

一种GaN基HEMT器件栅场板结构的制备方法 [P].

蔡树军 ;

魏应强 .

中国专利 :CN117594445B ,2024-03-26

[5]

基于立体栅场板结构的半导体器件及其制作方法 [P].

莫海锋 .

中国专利 :CN113889523B ,2024-04-26

[6]

基于立体栅场板结构的半导体器件及其制作方法 [P].

莫海锋 .

中国专利 :CN113889523A ,2022-01-04

[7]

分离栅沟槽MOSFET结构及其制备方法 [P].

苗东铭 ;

杨世红 ;

徐永年 ;

李小红 ;

李维 ;

王章 ;

杭朝阳 .

中国专利 :CN120676680A ,2025-09-19

[8]

加栅场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法 [P].

冯倩 ;

杜锴 ;

代波 ;

张春福 ;

梁日泉 ;

郝跃 .

中国专利 :CN103904110A ,2014-07-02

[9]

一种浮栅结构及其制备方法 [P].

曹开玮 .

中国专利 :CN108447900A ,2018-08-24

[10]

场板结构优化方法、装置、设备及介质 [P].

赵东艳 ;

陈燕宁 ;

吴波 ;

刘巾溆 ;

程勇鹏 ;

高大为 ;

刘芳 ;

邓永峰 ;

郁文 ;

罗宗兰 .

中国专利 :CN119558006A ,2025-03-04

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