低栅漏电容的沟槽MOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110399926.9

申请日：

2011-12-06

公开(公告)号：

CN102437191A

公开(公告)日：

2012-05-02

发明(设计)人：

刘伟王凡

申请人：

申请人地址：

215126 江苏省苏州市工业园区星龙街428号苏春工业坊11A单元

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L29423 H01L21336

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

马明渡

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-02	公开	公开
2014-01-15	授权	授权
2012-06-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101272515809 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2011103999269 申请日:20111206

共 50 条

[1]

低栅漏电容的沟槽MOS器件 [P].

刘伟 ;

王凡 .

中国专利 :CN202473929U ,2012-10-03

[2]

一种低栅漏电容沟槽型功率器件及其制造方法 [P].

李理 ;

马万里 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN106206720A ,2016-12-07

[3]

一种可提高沟槽栅MOS器件性能的沟槽栅及其制造方法 [P].

刘宪周 ;

克里丝 .

中国专利 :CN101847655A ,2010-09-29

[4]

屏蔽栅沟槽型MOS器件及其制造方法 [P].

王登 ;

徐西贤 ;

阚志国 .

中国专利 :CN117790292A ,2024-03-29

[5]

屏蔽栅沟槽型MOS器件的制造方法 [P].

李艳旭 .

中国专利 :CN113327860B ,2021-08-31

[6]

应用于沟槽型MOS器件的沟槽栅及其制备方法 [P].

郭晓波 ;

胡荣星 .

中国专利 :CN104282543A ,2015-01-14

[7]

一种低栅漏电容梯型栅沟槽型的功率器件的制造方法 [P].

张瑜洁 ;

张长沙 ;

何佳 ;

李佳帅 .

中国专利 :CN115084221A ,2022-09-20

[8]

一种沟槽分离栅MOS器件的制造方法 [P].

赵大国 .

中国专利 :CN109872950A ,2019-06-11

[9]

具有屏蔽栅的沟槽栅功率器件的制造方法 [P].

柯行飞 .

中国专利 :CN105957811A ,2016-09-21

[10]

栅总线加强的沟槽MOS器件及其制造方法 [P].

刘伟 ;

王凡 .

中国专利 :CN102593175A ,2012-07-18

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