一种低栅漏电容沟槽型功率器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510225295.7

申请日：

2015-05-05

公开(公告)号：

CN106206720A

公开(公告)日：

2016-12-07

发明(设计)人：

李理马万里赵圣哲

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2966

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

李相雨;宋平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-07	公开	公开
2017-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101695179537 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015102252957 申请日:20150505

共 50 条

[1]

低栅漏电容的沟槽MOS器件及其制造方法 [P].

刘伟 ;

王凡 .

中国专利 :CN102437191A ,2012-05-02

[2]

一种低栅漏电容梯型栅沟槽型的功率器件的制造方法 [P].

张瑜洁 ;

张长沙 ;

何佳 ;

李佳帅 .

中国专利 :CN115084221A ,2022-09-20

[3]

一种低栅漏电容梯型栅沟槽型的功率器件 [P].

张瑜洁 ;

张长沙 ;

何佳 ;

李佳帅 .

中国专利 :CN217485454U ,2022-09-23

[4]

低栅漏电容的沟槽MOS器件 [P].

刘伟 ;

王凡 .

中国专利 :CN202473929U ,2012-10-03

[5]

屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN107068763A ,2017-08-18

[6]

屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN106876279A ,2017-06-20

[7]

屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN107507765A ,2017-12-22

[8]

一种用于功率器件的沟槽栅结构及其制造方法 [P].

饶祖刚 ;

王民安 ;

黄富强 ;

项建辉 ;

王日新 .

中国专利 :CN105552118A ,2016-05-04

[9]

一种沟槽型双层栅功率器件及其制造方法 [P].

李学会 ;

傅俊寅 ;

汪之涵 .

中国专利 :CN115425079A ,2022-12-02

[10]

屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法 [P].

李东升 .

中国专利 :CN108511341A ,2018-09-07

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