一种用于功率器件的沟槽栅结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610122149.6

申请日：

2016-03-03

公开(公告)号：

CN105552118A

公开(公告)日：

2016-05-04

发明(设计)人：

饶祖刚王民安黄富强项建辉王日新

申请人：

申请人地址：

245000 安徽省黄山市祁门县新兴路449号

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240

代理人：

杨大庆;叶绿林

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-05	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/423 申请公布日:20160504
2016-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101662911338 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2016101221496 申请日:20160303
2016-05-04	公开	公开

共 50 条

[1]

一种用于功率器件的沟槽栅结构 [P].

饶祖刚 ;

王民安 ;

黄富强 ;

项建辉 ;

王日新 .

中国专利 :CN205406525U ,2016-07-27

[2]

沟槽型功率器件的沟槽栅结构及其制造方法 [P].

常虹 .

中国专利 :CN113517341A ,2021-10-19

[3]

一种用于功率器件的沟槽栅制造方法 [P].

饶祖刚 ;

丛培金 ;

沈浩平 ;

冯春阳 ;

陆界江 ;

赵雁 ;

高景倩 .

中国专利 :CN102290343B ,2011-12-21

[4]

一种低栅漏电容沟槽型功率器件及其制造方法 [P].

李理 ;

马万里 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN106206720A ,2016-12-07

[5]

沟槽栅功率器件及其制造方法 [P].

李东升 .

中国专利 :CN111370463A ,2020-07-03

[6]

用于功率器件的沟槽结构及其制造方法 [P].

饶祖刚 ;

丛培金 ;

沈浩平 ;

冯春阳 ;

陆界江 ;

赵雁 ;

高景倩 .

中国专利 :CN102024848A ,2011-04-20

[7]

沟槽型功率器件的沟槽栅结构 [P].

常虹 .

中国专利 :CN211455690U ,2020-09-08

[8]

沟槽栅功率器件的制造方法 [P].

汪莹萍 ;

缪进征 .

中国专利 :CN105529273B ,2016-04-27

[9]

沟槽栅功率器件的制造方法 [P].

颜树范 ;

朱熹 .

中国专利 :CN104617045A ,2015-05-13

[10]

沟槽栅功率器件的制造方法及结构 [P].

柯行飞 .

中国专利 :CN106024630B ,2016-10-12

← 1 2 3 4 5 →