沟槽栅功率器件的制造方法及结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610330470.3

申请日：

2016-05-18

公开(公告)号：

CN106024630B

公开(公告)日：

2016-10-12

发明(设计)人：

柯行飞

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L29423 H01L2978

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-13	授权	授权
2016-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101687247561 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2016103304703 申请日:20160518
2016-10-12	公开	公开

共 50 条

[1]

沟槽栅功率器件的制造方法及结构 [P].

柯行飞 ;

缪进征 .

中国专利 :CN105826205B ,2016-08-03

[2]

沟槽栅功率器件及其制造方法 [P].

李东升 .

中国专利 :CN111370463A ,2020-07-03

[3]

具有屏蔽栅的沟槽栅功率器件的制造方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN105428241A ,2016-03-23

[4]

具有屏蔽栅的沟槽栅功率器件的制造方法 [P].

缪进征 ;

颜树范 .

中国专利 :CN105513971A ,2016-04-20

[5]

沟槽栅功率器件的制造方法 [P].

周宁 ;

曾大杰 .

中国专利 :CN118099210A ,2024-05-28

[6]

沟槽栅功率器件的制造方法 [P].

汪莹萍 ;

缪进征 .

中国专利 :CN105529273B ,2016-04-27

[7]

沟槽型功率器件的沟槽栅结构及其制造方法 [P].

常虹 .

中国专利 :CN113517341A ,2021-10-19

[8]

屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN106298941A ,2017-01-04

[9]

屏蔽栅沟槽功率器件及其制造方法 [P].

杨亚锋 ;

石磊 .

中国专利 :CN111883592A ,2020-11-03

[10]

沟槽型功率器件的沟槽栅结构 [P].

常虹 .

中国专利 :CN211455690U ,2020-09-08

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