一种低栅漏电容梯型栅沟槽型的功率器件

被引：0

申请号：

CN202220963616.9

申请日：

2022-04-25

公开(公告)号：

CN217485454U

公开(公告)日：

2022-09-23

发明(设计)人：

张瑜洁张长沙何佳李佳帅

申请人：

申请人地址：

410300 湖南省长沙市浏阳高新技术产业开发区永和南路新能源汽车零部件产业园18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L2906 H01L21336

代理机构：

福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212

代理人：

王牌

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-23	授权	授权

共 50 条

[1]

一种低栅漏电容梯型栅沟槽型的功率器件的制造方法 [P].

张瑜洁 ;

张长沙 ;

何佳 ;

李佳帅 .

中国专利 :CN115084221A ,2022-09-20

[2]

一种低栅漏电容沟槽型功率器件及其制造方法 [P].

李理 ;

马万里 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN106206720A ,2016-12-07

[3]

低栅漏电容的沟槽MOS器件 [P].

刘伟 ;

王凡 .

中国专利 :CN202473929U ,2012-10-03

[4]

沟槽型功率器件的沟槽栅结构 [P].

常虹 .

中国专利 :CN211455690U ,2020-09-08

[5]

屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件 [P].

周振强 ;

徐承福 .

中国专利 :CN216213475U ,2022-04-05

[6]

一种低栅‑漏电荷的沟槽功率MOS器件 [P].

袁力鹏 ;

徐吉程 ;

范玮 .

中国专利 :CN206116407U ,2017-04-19

[7]

低栅漏电容的沟槽MOS器件及其制造方法 [P].

刘伟 ;

王凡 .

中国专利 :CN102437191A ,2012-05-02

[8]

一种低栅电容VDMOS功率器件 [P].

王新 .

中国专利 :CN202159670U ,2012-03-07

[9]

一种低栅电容TGBT功率器件 [P].

王新 .

中国专利 :CN202259306U ,2012-05-30

[10]

一种降低栅漏电容的平面栅碳化硅VDMOS [P].

施广彦 ;

张长沙 ;

李昀佶 ;

胡慧娜 .

中国专利 :CN223080382U ,2025-07-08

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