具有深埋层的纵向浮空场板器件及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910819950.X

申请日：

2019-08-31

公开(公告)号：

CN110459599B

公开(公告)日：

2019-11-15

发明(设计)人：

章文通何俊卿杨昆王睿张森乔明张波李肇基

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2940 H01L2978 H01L21336

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-16	授权	授权
2019-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20190831
2022-08-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20190831 授权公告日:20210316 终止日期:20210831
2019-11-15	公开	公开

共 50 条

[1]

具有纵向浮空场板的器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

何俊卿 ;

杨昆 ;

王睿 ;

张森 ;

乔明 ;

张波 ;

李肇基 .

中国专利 :CN110459602A ,2019-11-15

[2]

具有电荷平衡耐压层的纵向浮空场板器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

何俊卿 ;

杨昆 ;

王睿 ;

张森 ;

乔明 ;

张波 ;

李肇基 .

中国专利 :CN110518059A ,2019-11-29

[3]

具有等势浮空槽的低阻器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

祖健 ;

朱旭晗 ;

乔明 ;

李肇基 ;

张波 .

中国专利 :CN112164719A ,2021-01-01

[4]

具有哑铃状体内埋层的新型LDMOS结构及制造方法 [P].

章文通 ;

刘雨婷 ;

李洪博 ;

蔡诗瑶 ;

郭新凯 ;

孙燕 ;

乔明 ;

李肇基 ;

张波 .

中国专利 :CN117673154A ,2024-03-08

[5]

具有p埋层的纵向沟道SOI nLDMOS器件单元 [P].

张海鹏 ;

许生根 ;

刘怡新 ;

吴倩倩 ;

孔令军 ;

汪洋 ;

赵伟立 .

中国专利 :CN202018967U ,2011-10-26

[6]

具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元 [P].

张海鹏 ;

齐瑞生 ;

汪洋 ;

赵伟立 ;

刘怡新 ;

吴倩倩 ;

孔令军 .

中国专利 :CN202018966U ,2011-10-26

[7]

耗尽自连续的匀场低阻器件及制造方法 [P].

章文通 ;

何佳敏 ;

赵泉钰 .

中国专利 :CN115000151A ,2022-09-02

[8]

具有体内场板的分离栅VDMOS器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

叶力 ;

方冬 ;

林祺 ;

李珂 ;

胡云鹤 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109119476A ,2019-01-01

[9]

具有体内场板的分离栅VDMOS器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

叶力 ;

方冬 ;

李珂 ;

林祺 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109326639A ,2019-02-12

[10]

具有双埋层结构的SOI LDMOS器件及其制造方法 [P].

杨蒙蒙 ;

王晓日 ;

张磊 .

中国专利 :CN120475741A ,2025-08-12

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