具有p埋层的纵向沟道SOI nLDMOS器件单元

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201120060193.1

申请日：

2011-03-10

公开(公告)号：

CN202018967U

公开(公告)日：

2011-10-26

发明(设计)人：

张海鹏许生根刘怡新吴倩倩孔令军汪洋赵伟立

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

杜军

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-10-26	授权	授权
2012-05-23	避免重复授权放弃专利权	避免重复授权放弃专利权号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101351534169 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2011200601931 申请日:20110310 授权公告日:20111026 放弃生效日:20120523

共 50 条

[1]

一种具有p埋层的纵向沟道SOI nLDMOS器件单元 [P].

张海鹏 ;

许生根 ;

刘怡新 ;

吴倩倩 ;

孔令军 ;

汪洋 ;

赵伟立 .

中国专利 :CN102157561A ,2011-08-17

[2]

具有p埋层的SOI nLDMOS器件单元 [P].

张海鹏 ;

许生根 ;

赵伟立 ;

刘怡新 ;

吴倩倩 ;

孔令军 ;

汪洋 .

中国专利 :CN201966214U ,2011-09-07

[3]

具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元 [P].

张海鹏 ;

齐瑞生 ;

汪洋 ;

赵伟立 ;

刘怡新 ;

吴倩倩 ;

孔令军 .

中国专利 :CN202018966U ,2011-10-26

[4]

一种具有p埋层的SOI nLDMOS器件单元 [P].

张海鹏 ;

许生根 ;

赵伟立 ;

刘怡新 ;

吴倩倩 ;

孔令军 ;

汪洋 .

中国专利 :CN102176469A ,2011-09-07

[5]

一种具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元 [P].

张海鹏 ;

齐瑞生 ;

汪洋 ;

赵伟立 ;

刘怡新 ;

吴倩倩 ;

孔令军 .

中国专利 :CN102157550A ,2011-08-17

[6]

具有P埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元 [P].

张海鹏 ;

齐瑞生 ;

孔令军 ;

汪洋 ;

赵伟立 ;

刘怡新 ;

吴倩倩 .

中国专利 :CN202058737U ,2011-11-30

[7]

集成纵向沟道SOI LDMOS器件单元 [P].

张海鹏 ;

张亮 ;

苏步春 ;

张帆 ;

刘国华 ;

徐丽燕 .

中国专利 :CN201374335Y ,2009-12-30

[8]

集成双纵向沟道SOI LDMOS器件单元 [P].

张海鹏 ;

许生根 ;

陈波 ;

李浩 .

中国专利 :CN102097482A ,2011-06-15

[9]

一种具有P埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元 [P].

张海鹏 ;

齐瑞生 ;

孔令军 ;

汪洋 ;

赵伟立 ;

刘怡新 ;

吴倩倩 .

中国专利 :CN102169893B ,2011-08-31

[10]

具有p埋层的纵向沟道SOI nLDMOS器件单元的制作方法 [P].

张海鹏 ;

许生根 ;

吴倩倩 ;

孔令军 ;

汪洋 ;

赵伟立 ;

刘怡新 .

中国专利 :CN102157433A ,2011-08-17

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