具有p埋层的纵向沟道SOI nLDMOS器件单元的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110056311.6

申请日：

2011-03-10

公开(公告)号：

CN102157433A

公开(公告)日：

2011-08-17

发明(设计)人：

张海鹏许生根吴倩倩孔令军汪洋赵伟立刘怡新

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

杜军

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-10-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101665270130 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2011100563116 申请公布日:20110817
2011-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101113914933 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2011100563116 申请日:20110310
2011-08-17	公开	公开

共 50 条

[1]

具有P埋层的SOI nLDMOS器件单元的制作方法 [P].

张海鹏 ;

许生根 ;

赵伟立 ;

刘怡新 ;

吴倩倩 ;

孔令军 ;

汪洋 .

中国专利 :CN102157383A ,2011-08-17

[2]

具有p埋层的纵向沟道SOI nLDMOS器件单元 [P].

张海鹏 ;

许生根 ;

刘怡新 ;

吴倩倩 ;

孔令军 ;

汪洋 ;

赵伟立 .

中国专利 :CN202018967U ,2011-10-26

[3]

一种具有p埋层的纵向沟道SOI nLDMOS器件单元 [P].

张海鹏 ;

许生根 ;

刘怡新 ;

吴倩倩 ;

孔令军 ;

汪洋 ;

赵伟立 .

中国专利 :CN102157561A ,2011-08-17

[4]

具有p埋层的SOI nLDMOS器件单元 [P].

张海鹏 ;

许生根 ;

赵伟立 ;

刘怡新 ;

吴倩倩 ;

孔令军 ;

汪洋 .

中国专利 :CN201966214U ,2011-09-07

[5]

具有p埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元的制作方法 [P].

张海鹏 ;

齐瑞生 ;

赵伟立 ;

刘怡新 ;

吴倩倩 ;

孔令军 ;

汪洋 .

中国专利 :CN102169831A ,2011-08-31

[6]

一种具有p埋层的SOI nLDMOS器件单元 [P].

张海鹏 ;

许生根 ;

赵伟立 ;

刘怡新 ;

吴倩倩 ;

孔令军 ;

汪洋 .

中国专利 :CN102176469A ,2011-09-07

[7]

集成纵向沟道SOI LDMOS器件单元 [P].

张海鹏 ;

张亮 ;

苏步春 ;

张帆 ;

刘国华 ;

徐丽燕 .

中国专利 :CN201374335Y ,2009-12-30

[8]

制作集成双纵向沟道SOI LDMOS器件的方法 [P].

张海鹏 ;

许生根 ;

陈波 ;

李浩 .

中国专利 :CN102130061A ,2011-07-20

[9]

集成双纵向沟道SOI LDMOS器件单元 [P].

张海鹏 ;

许生根 ;

陈波 ;

李浩 .

中国专利 :CN102097482A ,2011-06-15

[10]

纵向沟道SOI LDMOS的CMOS VLSI集成制作方法 [P].

张海鹏 ;

苏步春 ;

张亮 ;

孙玲玲 ;

张帆 ;

李文钧 .

中国专利 :CN101819948A ,2010-09-01

← 1 2 3 4 5 →