具有p埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110056336.6

申请日：

2011-03-10

公开(公告)号：

CN102169831A

公开(公告)日：

2011-08-31

发明(设计)人：

张海鹏齐瑞生赵伟立刘怡新吴倩倩孔令军汪洋

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

IPC主分类号：

H01L21329

IPC分类号：

H01L21762

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

杜军

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-09	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101702714066 IPC(主分类):H01L 21/329 专利号:ZL2011100563366 变更事项:专利权人变更前权利人:杭州电子科技大学变更后权利人:海安县科技成果转化服务中心变更事项:地址变更前权利人:310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街变更后权利人:226600 江苏省南通市海安县城长江中路106号登记生效日:20140618
2013-01-02	授权	授权
2011-08-31	公开	公开
2011-10-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101120310536 IPC(主分类):H01L 21/329 专利申请号:2011100563366 申请日:20110310

共 50 条

[1]

具有P埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元 [P].

张海鹏 ;

齐瑞生 ;

孔令军 ;

汪洋 ;

赵伟立 ;

刘怡新 ;

吴倩倩 .

中国专利 :CN202058737U ,2011-11-30

[2]

具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元的制作方法 [P].

张海鹏 ;

齐瑞生 ;

刘怡新 ;

吴倩倩 ;

孔令军 ;

汪洋 ;

赵伟立 .

中国专利 :CN102157434B ,2011-08-17

[3]

一种具有P埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元 [P].

张海鹏 ;

齐瑞生 ;

孔令军 ;

汪洋 ;

赵伟立 ;

刘怡新 ;

吴倩倩 .

中国专利 :CN102169893B ,2011-08-31

[4]

具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元 [P].

张海鹏 ;

齐瑞生 ;

汪洋 ;

赵伟立 ;

刘怡新 ;

吴倩倩 ;

孔令军 .

中国专利 :CN202018966U ,2011-10-26

[5]

一种具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元 [P].

张海鹏 ;

齐瑞生 ;

汪洋 ;

赵伟立 ;

刘怡新 ;

吴倩倩 ;

孔令军 .

中国专利 :CN102157550A ,2011-08-17

[6]

具有p埋层的纵向沟道SOI nLDMOS器件单元 [P].

张海鹏 ;

许生根 ;

刘怡新 ;

吴倩倩 ;

孔令军 ;

汪洋 ;

赵伟立 .

中国专利 :CN202018967U ,2011-10-26

[7]

具有p埋层的纵向沟道SOI nLDMOS器件单元的制作方法 [P].

张海鹏 ;

许生根 ;

吴倩倩 ;

孔令军 ;

汪洋 ;

赵伟立 ;

刘怡新 .

中国专利 :CN102157433A ,2011-08-17

[8]

具有p埋层的SOI nLDMOS器件单元 [P].

张海鹏 ;

许生根 ;

赵伟立 ;

刘怡新 ;

吴倩倩 ;

孔令军 ;

汪洋 .

中国专利 :CN201966214U ,2011-09-07

[9]

具有P埋层的SOI nLDMOS器件单元的制作方法 [P].

张海鹏 ;

许生根 ;

赵伟立 ;

刘怡新 ;

吴倩倩 ;

孔令军 ;

汪洋 .

中国专利 :CN102157383A ,2011-08-17

[10]

一种具有p埋层的纵向沟道SOI nLDMOS器件单元 [P].

张海鹏 ;

许生根 ;

刘怡新 ;

吴倩倩 ;

孔令军 ;

汪洋 ;

赵伟立 .

中国专利 :CN102157561A ,2011-08-17

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