具有垂直浮空场板的LDMOS晶体管及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202011064546.5

申请日：

2020-09-30

公开(公告)号：

CN114335163A

公开(公告)日：

2022-04-12

发明(设计)人：

季明华李敏

申请人：

申请人地址：

266000 山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401

IPC主分类号：

H01L2940

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/40 申请日:20200930
2022-04-12	公开	公开

共 50 条

[1]

具有垂直浮空场板的LDMOS晶体管及其制备方法 [P].

季明华 ;

李敏 .

中国专利 :CN114335163B ,2025-03-25

[2]

LDMOS晶体管及其制备方法 [P].

李敏 ;

季明华 ;

张汝京 .

中国专利 :CN113838906B ,2024-01-09

[3]

LDMOS晶体管及其制备方法 [P].

李敏 ;

季明华 ;

张汝京 .

中国专利 :CN113838906A ,2021-12-24

[4]

LDMOS晶体管及其制备方法 [P].

陈俭 .

中国专利 :CN101673763B ,2010-03-17

[5]

LDMOS晶体管及其制备方法 [P].

刘宪周 .

中国专利 :CN108122780A ,2018-06-05

[6]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王帅鹏 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 ;

张同 .

中国专利 :CN115274859B ,2023-01-20

[7]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

方磊 .

中国专利 :CN110120346B ,2019-08-13

[8]

LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

王猛 ;

喻慧 .

中国专利 :CN108598156A ,2018-09-28

[9]

LDMOS晶体管及其制备方法 [P].

吴亚贞 .

中国专利 :CN111785639A ,2020-10-16

[10]

LDMOS晶体管及其制备方法 [P].

吴亚贞 .

中国专利 :CN111785639B ,2024-02-02

← 1 2 3 4 5 →