具有高可靠性的分离栅VDMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010888687.2

申请日：

2020-08-28

公开(公告)号：

CN111969051B

公开(公告)日：

2020-11-20

发明(设计)人：

王卓祖健朱旭晗章文通方冬乔明李肇基张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336 H01L2906

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-24	授权	授权
2020-12-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20200828
2020-11-20	公开	公开

共 50 条

[1]

具有体内场板的分离栅VDMOS器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

叶力 ;

方冬 ;

林祺 ;

李珂 ;

胡云鹤 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109119476A ,2019-01-01

[2]

具有体内场板的分离栅VDMOS器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

叶力 ;

方冬 ;

李珂 ;

林祺 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109326639A ,2019-02-12

[3]

具有高沟道密度的分离栅VDMOS器件及制造方法 [P].

章文通 ;

何俊卿 ;

杨昆 ;

王睿 ;

乔明 ;

王卓 ;

张波 ;

李肇基 .

中国专利 :CN110491935A ,2019-11-22

[4]

具有低比导通电阻的分离栅VDMOS器件及制造方法 [P].

章文通 ;

叶力 ;

何俊卿 ;

林祺 ;

李珂 ;

李洁 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109087952A ,2018-12-25

[5]

具有低比导通电阻的分离栅VDMOS器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

叶力 ;

方冬 ;

李珂 ;

林祺 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109148587A ,2019-01-04

[6]

具有控制栅保护层的分离栅器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

祖健 ;

朱旭晗 ;

方冬 ;

乔明 ;

李肇基 ;

张波 .

中国专利 :CN112164718A ,2021-01-01

[7]

高可靠性屏蔽栅半导体功率器件的终端结构及其制造方法 [P].

丁磊 ;

滕支刚 .

中国专利 :CN118486736A ,2024-08-13

[8]

高可靠性屏蔽栅半导体功率器件的终端结构及其制造方法 [P].

丁磊 ;

滕支刚 .

中国专利 :CN118486736B ,2024-11-19

[9]

一种分离栅VDMOS器件及制造方法 [P].

乔明 ;

钟涛 ;

张泽奇 ;

方冬 ;

刘文良 ;

张波 .

中国专利 :CN113594257A ,2021-11-02

[10]

分离栅VDMOS器件的终端结构 [P].

章文通 ;

何俊卿 ;

王睿 ;

杨昆 ;

乔明 ;

王卓 ;

张波 ;

李肇基 .

中国专利 :CN110504322B ,2019-11-26

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