分离栅VDMOS器件的终端结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910819894.X

申请日：

2019-08-31

公开(公告)号：

CN110504322B

公开(公告)日：

2019-11-26

发明(设计)人：

章文通何俊卿王睿杨昆乔明王卓张波李肇基

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L29423 H01L2702

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20190831
2021-04-23	授权	授权
2019-11-26	公开	公开

共 50 条

[1]

一种VDMOS器件终端结构 [P].

章文通 ;

田丰润 ;

吴凌颖 .

中国专利 :CN115377198A ,2022-11-22

[2]

具有高可靠性的分离栅VDMOS器件及其制造方法 [P].

王卓 ;

祖健 ;

朱旭晗 ;

章文通 ;

方冬 ;

乔明 ;

李肇基 ;

张波 .

中国专利 :CN111969051B ,2020-11-20

[3]

一种分离栅VDMOS器件及制造方法 [P].

乔明 ;

钟涛 ;

张泽奇 ;

方冬 ;

刘文良 ;

张波 .

中国专利 :CN113594257A ,2021-11-02

[4]

具有体内场板的分离栅VDMOS器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

叶力 ;

方冬 ;

林祺 ;

李珂 ;

胡云鹤 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109119476A ,2019-01-01

[5]

具有体内场板的分离栅VDMOS器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

叶力 ;

方冬 ;

李珂 ;

林祺 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109326639A ,2019-02-12

[6]

具有高沟道密度的分离栅VDMOS器件及制造方法 [P].

章文通 ;

何俊卿 ;

杨昆 ;

王睿 ;

乔明 ;

王卓 ;

张波 ;

李肇基 .

中国专利 :CN110491935A ,2019-11-22

[7]

分离栅器件结构 [P].

刘聪慧 ;

季明华 ;

张汝京 ;

徐怀花 ;

杨龙康 .

中国专利 :CN113497120A ,2021-10-12

[8]

分离栅器件结构 [P].

刘聪慧 ;

季明华 ;

张汝京 ;

徐怀花 ;

杨龙康 .

中国专利 :CN113497120B ,2024-04-16

[9]

一种改进栅结构的槽栅VDMOS器件 [P].

涂俊杰 ;

顾航 ;

高巍 ;

戴茂州 .

中国专利 :CN112802903A ,2021-05-14

[10]

一种VDMOS的器件终端结构 [P].

姚磊 .

中国专利 :CN208521940U ,2019-02-19

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