一种VDMOS的器件终端结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201821323157.8

申请日：

2018-08-16

公开(公告)号：

CN208521940U

公开(公告)日：

2019-02-19

发明(设计)人：

姚磊

申请人：

申请人地址：

214135 江苏省无锡市清源路20号大学科技园立业楼E栋207室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260

代理人：

王闯;葛莉华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-19	授权	授权

共 50 条

[1]

一种VDMOS器件终端结构 [P].

章文通 ;

田丰润 ;

吴凌颖 .

中国专利 :CN115377198A ,2022-11-22

[2]

一种高EAS的VDMOS器件 [P].

唐红祥 .

中国专利 :CN208368515U ,2019-01-11

[3]

一种VDMOS器件及其终端结构的形成方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN104332499B ,2015-02-04

[4]

分离栅VDMOS器件的终端结构 [P].

章文通 ;

何俊卿 ;

王睿 ;

杨昆 ;

乔明 ;

王卓 ;

张波 ;

李肇基 .

中国专利 :CN110504322B ,2019-11-26

[5]

一种集成高压电阻的VDMOS器件结构 [P].

何飞 .

中国专利 :CN210092095U ,2020-02-18

[6]

一种超结终端的VDMOS结构 [P].

周炳 ;

石英学 ;

张志娟 ;

郝建勇 .

中国专利 :CN204857734U ,2015-12-09

[7]

VDMOS终端结构和半导体器件 [P].

冯尹 ;

张鹏 .

中国专利 :CN117542894A ,2024-02-09

[8]

一种新型结构的VDMOS器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN203288599U ,2013-11-13

[9]

一种VDMOS器件终端结构及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109119341A ,2019-01-01

[10]

一种高压MOSFET器件的终端结构 [P].

陆怀谷 .

中国专利 :CN204696121U ,2015-10-07

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