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一种高EAS的VDMOS器件
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201821173408.9
申请日：
2018-07-20
公开(公告)号：
CN208368515U
公开(公告)日：
2019-01-11
发明(设计)人：
唐红祥
申请人：
申请人地址：
214135 江苏省无锡市清源路20号大学科技园立业楼E栋207室
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L29423
代理机构：
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260
代理人：
张欢勇
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-01-11 | 授权 | 授权 |