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一种高压MOSFET器件的终端结构

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201520429714.4
申请日：
2015-06-19
公开(公告)号：
CN204696121U
公开(公告)日：
2015-10-07
发明(设计)人：
陆怀谷
申请人：
申请人地址：
518000 广东省深圳市海汇路华创达文化科技产业园E509
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
代理机构：
上海精晟知识产权代理有限公司 31253
代理人：
冯子玲
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2015-10-07 授权 授权
共 50 条
[1]
高压超结MOSFET器件终端结构 [P]. 
白玉明 ;
薛璐 ;
张海涛 .
中国专利 :CN204668310U ,2015-09-23
[2]
一种MOSFET器件的终端结构 [P]. 
艾育林 .
中国专利 :CN218385233U ,2023-01-24
[3]
MOSFET器件的终端结构 [P]. 
艾育林 ;
裘三君 .
中国专利 :CN212695153U ,2021-03-12
[4]
一种MOSFET终端结构 [P]. 
代萌 ;
李承杰 ;
顾嘉庆 .
中国专利 :CN213071150U ,2021-04-27
[5]
一种碳化硅MOSFET功率器件终端结构 [P]. 
崔潆心 ;
陆子成 ;
韩吉胜 ;
徐现刚 .
中国专利 :CN118943165A ,2024-11-12
[6]
一种碳化硅MOSFET功率器件终端结构 [P]. 
崔潆心 ;
陆子成 ;
韩吉胜 ;
徐现刚 .
中国专利 :CN118943165B ,2025-07-08
[7]
一种高压MOSFET器件的元胞结构及应用其的高压MOSFET器件 [P]. 
陈欣璐 ;
黄兴 ;
陈然 .
中国专利 :CN212303675U ,2021-01-05
[8]
MOSFET功率器件的终端结构 [P]. 
张海涛 ;
陈智勇 ;
孙娜 .
中国专利 :CN203707142U ,2014-07-09
[9]
MOSFET功率器件的终端结构 [P]. 
孙娜 ;
陈智勇 ;
张海涛 .
中国专利 :CN203707138U ,2014-07-09
[10]
一种高压MOSFET新型晶体管器件终端结构 [P]. 
李青春 .
中国专利 :CN214672623U ,2021-11-09
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