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MOSFET器件的终端结构
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202021407002.X
申请日
:
2020-07-16
公开(公告)号
:
CN212695153U
公开(公告)日
:
2021-03-12
发明(设计)人
:
艾育林
裘三君
申请人
:
申请人地址
:
518000 广东省深圳市龙华区民治街道第五工业区上隆路先跑创业园1栋1楼B区厂房/3楼厂房
IPC主分类号
:
H01L2906
IPC分类号
:
H01L2978
代理机构
:
广东卓林知识产权代理事务所(普通合伙) 44625
代理人
:
岳帅
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-03-12
授权
授权
共 50 条
[1]
屏蔽栅MOSFET器件的终端结构
[P].
余强
论文数:
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引用数:
0
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0
余强
;
姚鑫
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姚鑫
;
孙健
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孙健
.
中国专利
:CN218414589U
,2023-01-31
[2]
屏蔽栅MOSFET器件终端结构
[P].
陈志阳
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陈志阳
;
徐彩云
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徐彩云
.
中国专利
:CN216435910U
,2022-05-03
[3]
MOSFET器件的终端结构及其制备方法和应用
[P].
裘三君
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裘三君
.
中国专利
:CN111725300A
,2020-09-29
[4]
MOSFET功率器件的终端结构
[P].
张海涛
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张海涛
;
陈智勇
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陈智勇
;
孙娜
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孙娜
.
中国专利
:CN203707142U
,2014-07-09
[5]
MOSFET功率器件的终端结构
[P].
孙娜
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孙娜
;
陈智勇
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陈智勇
;
张海涛
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张海涛
.
中国专利
:CN203707138U
,2014-07-09
[6]
一种MOSFET器件的终端结构
[P].
艾育林
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艾育林
.
中国专利
:CN218385233U
,2023-01-24
[7]
一种沟槽MOSFET终端结构及沟槽MOSFET器件
[P].
高盼盼
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高盼盼
;
代萌
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代萌
.
中国专利
:CN204834630U
,2015-12-02
[8]
一种MOSFET器件的终端结构
[P].
刘秀梅
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刘秀梅
;
周祥瑞
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周祥瑞
;
刘锋
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刘锋
.
中国专利
:CN112635566A
,2021-04-09
[9]
高压超结MOSFET器件终端结构
[P].
白玉明
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白玉明
;
薛璐
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薛璐
;
张海涛
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张海涛
.
中国专利
:CN204668310U
,2015-09-23
[10]
一种高压MOSFET器件的终端结构
[P].
陆怀谷
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陆怀谷
.
中国专利
:CN204696121U
,2015-10-07
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