MOSFET器件的终端结构

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202021407002.X
申请日
2020-07-16
公开(公告)号
CN212695153U
公开(公告)日
2021-03-12
发明(设计)人
艾育林 裘三君
申请人
申请人地址
518000 广东省深圳市龙华区民治街道第五工业区上隆路先跑创业园1栋1楼B区厂房/3楼厂房
IPC主分类号
H01L2906
IPC分类号
H01L2978
代理机构
广东卓林知识产权代理事务所(普通合伙) 44625
代理人
岳帅
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
屏蔽栅MOSFET器件的终端结构 [P]. 
余强 ;
姚鑫 ;
孙健 .
中国专利 :CN218414589U ,2023-01-31
[2]
屏蔽栅MOSFET器件终端结构 [P]. 
陈志阳 ;
徐彩云 .
中国专利 :CN216435910U ,2022-05-03
[3]
MOSFET器件的终端结构及其制备方法和应用 [P]. 
裘三君 .
中国专利 :CN111725300A ,2020-09-29
[4]
MOSFET功率器件的终端结构 [P]. 
张海涛 ;
陈智勇 ;
孙娜 .
中国专利 :CN203707142U ,2014-07-09
[5]
MOSFET功率器件的终端结构 [P]. 
孙娜 ;
陈智勇 ;
张海涛 .
中国专利 :CN203707138U ,2014-07-09
[6]
一种MOSFET器件的终端结构 [P]. 
艾育林 .
中国专利 :CN218385233U ,2023-01-24
[7]
一种沟槽MOSFET终端结构及沟槽MOSFET器件 [P]. 
高盼盼 ;
代萌 .
中国专利 :CN204834630U ,2015-12-02
[8]
一种MOSFET器件的终端结构 [P]. 
刘秀梅 ;
周祥瑞 ;
刘锋 .
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[9]
高压超结MOSFET器件终端结构 [P]. 
白玉明 ;
薛璐 ;
张海涛 .
中国专利 :CN204668310U ,2015-09-23
[10]
一种高压MOSFET器件的终端结构 [P]. 
陆怀谷 .
中国专利 :CN204696121U ,2015-10-07