屏蔽栅MOSFET器件终端结构

被引：0

申请号：

CN202122875604.9

申请日：

2021-11-23

公开(公告)号：

CN216435910U

公开(公告)日：

2022-05-03

发明(设计)人：

陈志阳徐彩云

申请人：

申请人地址：

214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10栋215.216室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L2906

代理机构：

无锡睿升知识产权代理事务所(普通合伙) 32376

代理人：

蒋愿真

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-03	授权	授权

共 50 条

[1]

屏蔽栅MOSFET器件的终端结构 [P].

余强 ;

姚鑫 ;

孙健 .

中国专利 :CN218414589U ,2023-01-31

[2]

屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构 [P].

张鹏程 ;

孟宇 .

中国专利 :CN223452327U ,2025-10-17

[3]

MOSFET器件的终端结构 [P].

艾育林 ;

裘三君 .

中国专利 :CN212695153U ,2021-03-12

[4]

屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法及屏蔽栅沟槽MOSFET器件 [P].

罗志永 ;

陈敏 ;

欧新华 ;

袁琼 .

中国专利 :CN120751721A ,2025-10-03

[5]

屏蔽栅沟槽MOSFET器件及屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法 [P].

魏雪娇 ;

陈敏 ;

欧新华 ;

袁琼 .

中国专利 :CN120882048A ,2025-10-31

[6]

屏蔽栅MOSFET器件、芯片和终端设备 [P].

李伟聪 ;

姜春亮 ;

林泳浩 ;

雷秀芳 .

中国专利 :CN113745316A ,2021-12-03

[7]

屏蔽栅MOSFET器件和芯片 [P].

李伟聪 ;

姜春亮 ;

林泳浩 ;

雷秀芳 .

中国专利 :CN216288472U ,2022-04-12

[8]

一种低压屏蔽栅MOSFET器件 [P].

陈雪萌 ;

王艳颖 ;

钱晓霞 ;

汤艺 .

中国专利 :CN215578581U ,2022-01-18

[9]

具有屏蔽栅的SJ MOS器件终端结构 [P].

吴宗宪 ;

陈彦豪 .

中国专利 :CN210379056U ,2020-04-21

[10]

带有屏蔽栅结构MOSFET器件及其制造方法 [P].

颜树范 ;

刘须电 .

中国专利 :CN113782585A ,2021-12-10

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