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屏蔽栅MOSFET器件、芯片和终端设备
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202111017743.6
申请日
:
2021-08-31
公开(公告)号
:
CN113745316A
公开(公告)日
:
2021-12-03
发明(设计)人
:
李伟聪
姜春亮
林泳浩
雷秀芳
申请人
:
申请人地址
:
518000 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
IPC主分类号
:
H01L2906
IPC分类号
:
H01L2978
代理机构
:
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651
代理人
:
王敏生
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-12-03
公开
公开
2021-12-21
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210831
共 50 条
[1]
屏蔽栅MOSFET器件和芯片
[P].
李伟聪
论文数:
0
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0
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0
李伟聪
;
姜春亮
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0
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姜春亮
;
林泳浩
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0
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林泳浩
;
雷秀芳
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0
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雷秀芳
.
中国专利
:CN216288472U
,2022-04-12
[2]
屏蔽栅MOSFET器件终端结构
[P].
陈志阳
论文数:
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0
陈志阳
;
徐彩云
论文数:
0
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0
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0
徐彩云
.
中国专利
:CN216435910U
,2022-05-03
[3]
屏蔽栅MOSFET器件的终端结构
[P].
余强
论文数:
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余强
;
姚鑫
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0
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0
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姚鑫
;
孙健
论文数:
0
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0
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0
孙健
.
中国专利
:CN218414589U
,2023-01-31
[4]
屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法及屏蔽栅沟槽MOSFET器件
[P].
罗志永
论文数:
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机构:
上海芯导电子科技股份有限公司
上海芯导电子科技股份有限公司
罗志永
;
陈敏
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机构:
上海芯导电子科技股份有限公司
上海芯导电子科技股份有限公司
陈敏
;
欧新华
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机构:
上海芯导电子科技股份有限公司
上海芯导电子科技股份有限公司
欧新华
;
袁琼
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机构:
上海芯导电子科技股份有限公司
上海芯导电子科技股份有限公司
袁琼
.
中国专利
:CN120751721A
,2025-10-03
[5]
屏蔽栅沟槽MOSFET器件及屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法
[P].
魏雪娇
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机构:
上海芯导电子科技股份有限公司
上海芯导电子科技股份有限公司
魏雪娇
;
陈敏
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0
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机构:
上海芯导电子科技股份有限公司
上海芯导电子科技股份有限公司
陈敏
;
欧新华
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机构:
上海芯导电子科技股份有限公司
上海芯导电子科技股份有限公司
欧新华
;
袁琼
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机构:
上海芯导电子科技股份有限公司
上海芯导电子科技股份有限公司
袁琼
.
中国专利
:CN120882048A
,2025-10-31
[6]
屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构
[P].
张鹏程
论文数:
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机构:
江苏慧易芯科技有限公司
江苏慧易芯科技有限公司
张鹏程
;
孟宇
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机构:
江苏慧易芯科技有限公司
江苏慧易芯科技有限公司
孟宇
.
中国专利
:CN223452327U
,2025-10-17
[7]
槽栅超结VDMOS器件、芯片及终端设备
[P].
任敏
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0
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任敏
;
李长泽
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李长泽
;
李泽宏
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李泽宏
;
李伟聪
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李伟聪
;
林泳浩
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0
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0
林泳浩
.
中国专利
:CN113327984B
,2021-08-31
[8]
一种屏蔽栅MOSFET器件
[P].
罗志云
论文数:
0
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0
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机构:
恒泰柯半导体(上海)有限公司
恒泰柯半导体(上海)有限公司
罗志云
;
潘梦渝
论文数:
0
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机构:
恒泰柯半导体(上海)有限公司
恒泰柯半导体(上海)有限公司
潘梦渝
;
王飞
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机构:
恒泰柯半导体(上海)有限公司
恒泰柯半导体(上海)有限公司
王飞
.
中国专利
:CN118507528B
,2024-09-24
[9]
一种屏蔽栅MOSFET器件
[P].
罗志云
论文数:
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机构:
恒泰柯半导体(上海)有限公司
恒泰柯半导体(上海)有限公司
罗志云
;
潘梦渝
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机构:
恒泰柯半导体(上海)有限公司
恒泰柯半导体(上海)有限公司
潘梦渝
;
王飞
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机构:
恒泰柯半导体(上海)有限公司
恒泰柯半导体(上海)有限公司
王飞
.
中国专利
:CN118507528A
,2024-08-16
[10]
可调电容的屏蔽栅MOSFET器件
[P].
任敏
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任敏
;
骆俊毅
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骆俊毅
;
谭键文
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谭键文
;
李泽宏
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李泽宏
;
张波
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张波
.
中国专利
:CN110890427B
,2020-03-17
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