屏蔽栅MOSFET器件、芯片和终端设备

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专利类型
发明
申请号
CN202111017743.6
申请日
2021-08-31
公开(公告)号
CN113745316A
公开(公告)日
2021-12-03
发明(设计)人
李伟聪 姜春亮 林泳浩 雷秀芳
申请人
申请人地址
518000 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1301
IPC主分类号
H01L2906
IPC分类号
H01L2978
代理机构
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651
代理人
王敏生
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
屏蔽栅MOSFET器件和芯片 [P]. 
李伟聪 ;
姜春亮 ;
林泳浩 ;
雷秀芳 .
中国专利 :CN216288472U ,2022-04-12
[2]
屏蔽栅MOSFET器件终端结构 [P]. 
陈志阳 ;
徐彩云 .
中国专利 :CN216435910U ,2022-05-03
[3]
屏蔽栅MOSFET器件的终端结构 [P]. 
余强 ;
姚鑫 ;
孙健 .
中国专利 :CN218414589U ,2023-01-31
[4]
屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法及屏蔽栅沟槽MOSFET器件 [P]. 
罗志永 ;
陈敏 ;
欧新华 ;
袁琼 .
中国专利 :CN120751721A ,2025-10-03
[5]
屏蔽栅沟槽MOSFET器件及屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法 [P]. 
魏雪娇 ;
陈敏 ;
欧新华 ;
袁琼 .
中国专利 :CN120882048A ,2025-10-31
[6]
屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构 [P]. 
张鹏程 ;
孟宇 .
中国专利 :CN223452327U ,2025-10-17
[7]
槽栅超结VDMOS器件、芯片及终端设备 [P]. 
任敏 ;
李长泽 ;
李泽宏 ;
李伟聪 ;
林泳浩 .
中国专利 :CN113327984B ,2021-08-31
[8]
一种屏蔽栅MOSFET器件 [P]. 
罗志云 ;
潘梦渝 ;
王飞 .
中国专利 :CN118507528B ,2024-09-24
[9]
一种屏蔽栅MOSFET器件 [P]. 
罗志云 ;
潘梦渝 ;
王飞 .
中国专利 :CN118507528A ,2024-08-16
[10]
可调电容的屏蔽栅MOSFET器件 [P]. 
任敏 ;
骆俊毅 ;
谭键文 ;
李泽宏 ;
张波 .
中国专利 :CN110890427B ,2020-03-17