分离栅器件结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010192099.5

申请日：

2020-03-18

公开(公告)号：

CN113497120A

公开(公告)日：

2021-10-12

发明(设计)人：

刘聪慧季明华张汝京徐怀花杨龙康

申请人：

申请人地址：

266000 山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2978 H01L29739

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20200318
2021-10-12	公开	公开

共 50 条

[1]

分离栅器件结构 [P].

刘聪慧 ;

季明华 ;

张汝京 ;

徐怀花 ;

杨龙康 .

中国专利 :CN113497120B ,2024-04-16

[2]

分离栅沟槽结构功率器件的形成方法 [P].

徐怀花 ;

季明华 ;

张汝京 ;

王欢 ;

杨龙康 .

中国专利 :CN113497121A ,2021-10-12

[3]

分离栅沟槽结构功率器件的形成方法 [P].

徐怀花 ;

季明华 ;

张汝京 ;

王欢 ;

杨龙康 .

中国专利 :CN113497121B ,2024-04-16

[4]

一种分离栅MOSFET器件结构 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 ;

刘锋 .

中国专利 :CN208400855U ,2019-01-18

[5]

带浮栅的分离栅平面型MOSFET器件 [P].

涂俊杰 ;

顾航 ;

高巍 ;

戴茂州 .

中国专利 :CN112802906A ,2021-05-14

[6]

屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构 [P].

张鹏程 ;

孟宇 .

中国专利 :CN223452327U ,2025-10-17

[7]

增强型分离栅沟槽MOS器件 [P].

袁秉荣 ;

陈佳旅 ;

王海强 ;

何昌 ;

蒋礼聪 .

中国专利 :CN218241858U ,2023-01-06

[8]

低压分离栅沟槽MOS器件的结构 [P].

袁秉荣 ;

王海强 ;

陈佳旅 ;

何昌 ;

蒋礼聪 .

中国专利 :CN216980574U ,2022-07-15

[9]

一种低功耗的横向阶梯分离栅器件结构 [P].

吴丽娟 ;

吴海凤 ;

曾金胜 ;

陈星 ;

苏绍连 ;

刘清 .

中国专利 :CN113948574A ,2022-01-18

[10]

分离栅VDMOS器件的终端结构 [P].

章文通 ;

何俊卿 ;

王睿 ;

杨昆 ;

乔明 ;

王卓 ;

张波 ;

李肇基 .

中国专利 :CN110504322B ,2019-11-26

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