增强型分离栅沟槽MOS器件

被引：0

申请号：

CN202222345010.1

申请日：

2022-09-02

公开(公告)号：

CN218241858U

公开(公告)日：

2023-01-06

发明(设计)人：

袁秉荣陈佳旅王海强何昌蒋礼聪

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市宝安区西乡街道劳动社区西乡大道和宝源路交汇处中央大道D座16A

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L29423

代理机构：

深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281

代理人：

郭燕;彭家恩

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-06	授权	授权

共 50 条

[1]

增强型分离栅沟槽MOS器件及其制造方法 [P].

袁秉荣 ;

陈佳旅 ;

王海强 ;

何昌 ;

蒋礼聪 .

中国专利 :CN114420565A ,2022-04-29

[2]

低压分离栅沟槽MOS器件的结构 [P].

袁秉荣 ;

王海强 ;

陈佳旅 ;

何昌 ;

蒋礼聪 .

中国专利 :CN216980574U ,2022-07-15

[3]

低压分离栅沟槽MOS器件的制作方法 [P].

袁秉荣 ;

王海强 ;

陈佳旅 ;

何昌 ;

蒋礼聪 .

中国专利 :CN114256077A ,2022-03-29

[4]

一种增强型横向沟槽栅氧化镓MOS器件及其制备方法 [P].

王刚 ;

李成兵 .

中国专利 :CN118888596B ,2025-03-11

[5]

一种增强型横向沟槽栅氧化镓MOS器件及其制备方法 [P].

王刚 ;

李成兵 .

中国专利 :CN118888596A ,2024-11-01

[6]

沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法 [P].

郭晓波 .

中国专利 :CN104576346B ,2015-04-29

[7]

沟槽分离栅器件及其制造方法 [P].

方冬 ;

卞铮 .

中国专利 :CN110310992B ,2019-10-08

[8]

一种屏蔽栅沟槽型MOS器件及其制备方法 [P].

陈开宇 .

中国专利 :CN117954497A ,2024-04-30

[9]

一种沟槽分离栅MOS器件的制造方法 [P].

赵大国 .

中国专利 :CN109872950A ,2019-06-11

[10]

一种分离栅沟槽MOS器件及其制造方法 [P].

袁秉荣 ;

陈佳旅 ;

王海强 ;

何昌 ;

蒋礼聪 .

中国专利 :CN114420564A ,2022-04-29

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