一种增强型横向沟槽栅氧化镓MOS器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411369006.6

申请日：

2024-09-29

公开(公告)号：

CN118888596B

公开(公告)日：

2025-03-11

发明(设计)人：

王刚李成兵

申请人：

深圳市港祥辉电子有限公司

申请人地址：

518000 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋1301

IPC主分类号：

H10D30/60

IPC分类号：

H10D30/01 H10D62/17 H10D62/60 H10D64/27

代理机构：

深圳正和天下专利代理事务所(普通合伙) 44581

代理人：

赫巧莉

法律状态：

公开

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-01	公开	公开
2024-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240929
2025-03-11	授权	授权

共 50 条

[1]

一种增强型横向沟槽栅氧化镓MOS器件及其制备方法 [P].

王刚 ;

李成兵 .

中国专利 :CN118888596A ,2024-11-01

[2]

一种横向变掺杂沟道增强型氧化镓MOS器件及其制备方法 [P].

王刚 ;

李成兵 .

中国专利 :CN118841449A ,2024-10-25

[3]

一种横向变掺杂沟道增强型氧化镓MOS器件及其制备方法 [P].

王刚 ;

李成兵 .

中国专利 :CN118841449B ,2025-01-21

[4]

一种增强型沟槽栅氧化镓开关器件及其制备方法 [P].

王刚 ;

李成兵 .

中国专利 :CN118693159B ,2024-11-15

[5]

一种增强型沟槽栅氧化镓VDMOS器件及其制备方法 [P].

王刚 ;

李成兵 .

中国专利 :CN118658885B ,2024-11-05

[6]

一种增强型沟槽栅氧化镓VDMOS器件及其制备方法 [P].

王刚 ;

李成兵 .

中国专利 :CN118658885A ,2024-09-17

[7]

一种增强型沟槽栅氧化镓开关器件及其制备方法 [P].

王刚 ;

李成兵 .

中国专利 :CN118693159A ,2024-09-24

[8]

增强型分离栅沟槽MOS器件 [P].

袁秉荣 ;

陈佳旅 ;

王海强 ;

何昌 ;

蒋礼聪 .

中国专利 :CN218241858U ,2023-01-06

[9]

一种增强型平面栅氧化镓VDMOS器件及其制备方法 [P].

王刚 ;

李成兵 .

中国专利 :CN118486735A ,2024-08-13

[10]

增强型分离栅沟槽MOS器件及其制造方法 [P].

袁秉荣 ;

陈佳旅 ;

王海强 ;

何昌 ;

蒋礼聪 .

中国专利 :CN114420565A ,2022-04-29

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