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一种增强型沟槽栅氧化镓VDMOS器件及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411139569.6
申请日：
2024-08-20
公开(公告)号：
CN118658885B
公开(公告)日：
2024-11-05
发明(设计)人：
王刚
李成兵
申请人：
深圳市港祥辉电子有限公司
申请人地址：
518000 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋1301
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L29/06
H01L29/423
H01L29/49
H01L21/28
H01L21/336
代理机构：
深圳正和天下专利代理事务所(普通合伙) 44581
代理人：
赫巧莉
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
广东省
深圳市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-10-08 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240820 |
| 2024-11-05 | 授权 | 授权 |
| 2024-09-17 | 公开 | 公开 |