分离栅沟槽结构功率器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010192117.X

申请日：

2020-03-18

公开(公告)号：

CN113497121B

公开(公告)日：

2024-04-16

发明(设计)人：

徐怀花季明华张汝京王欢杨龙康

申请人：

芯恩（青岛）集成电路有限公司

申请人地址：

266000 山东省青岛市黄岛区太白山路19号德国企业南区401

IPC主分类号：

H01L29/423

IPC分类号：

H01L21/336

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

授权

国省代码：

山东省青岛市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-16	授权	授权

共 50 条

[1]

分离栅沟槽结构功率器件的形成方法 [P].

徐怀花 ;

季明华 ;

张汝京 ;

王欢 ;

杨龙康 .

中国专利 :CN113497121A ,2021-10-12

[2]

分离栅器件结构 [P].

刘聪慧 ;

季明华 ;

张汝京 ;

徐怀花 ;

杨龙康 .

中国专利 :CN113497120A ,2021-10-12

[3]

分离栅器件结构 [P].

刘聪慧 ;

季明华 ;

张汝京 ;

徐怀花 ;

杨龙康 .

中国专利 :CN113497120B ,2024-04-16

[4]

沟槽型功率器件的沟槽栅结构 [P].

常虹 .

中国专利 :CN211455690U ,2020-09-08

[5]

沟槽型功率器件的形成方法 [P].

沈思杰 ;

刘宪周 .

中国专利 :CN102789988A ,2012-11-21

[6]

平面栅功率器件结构及其形成方法 [P].

杨彦涛 ;

邵凯 ;

向璐 ;

陈琛 ;

吕焕秀 .

中国专利 :CN106024595A ,2016-10-12

[7]

沟槽式功率器件中沟槽底部厚栅氧化层的形成方法 [P].

冯大贵 .

中国专利 :CN102456561A ,2012-05-16

[8]

沟槽栅功率器件 [P].

曾大杰 ;

高宗朋 .

中国专利 :CN118800790A ,2024-10-18

[9]

沟槽栅功率器件 [P].

曾大杰 .

中国专利 :CN114582863B ,2025-08-19

[10]

沟槽栅功率器件 [P].

曾大杰 .

中国专利 :CN114582863A ,2022-06-03

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