沟槽式功率器件中沟槽底部厚栅氧化层的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010528430.2

申请日：

2010-11-02

公开(公告)号：

CN102456561A

公开(公告)日：

2012-05-16

发明(设计)人：

冯大贵

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21283

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

王函

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101686690994 IPC(主分类):H01L 21/28 专利号:ZL2010105284302 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20131225
2012-06-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101274512810 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2010105284302 申请日:20101102
2012-05-16	公开	公开
2013-09-11	授权	授权

共 50 条

[1]

沟槽型功率器件中沟槽底部的厚氧化层的制备方法 [P].

张怡 .

中国专利 :CN105470128A ,2016-04-06

[2]

制作底部厚栅氧化层沟槽MOS的工艺方法 [P].

金勤海 ;

沈浩峰 ;

袁秉荣 .

中国专利 :CN103094117A ,2013-05-08

[3]

沟槽型功率器件栅氧化层的制备方法 [P].

李理 ;

马万里 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN104810268A ,2015-07-29

[4]

沟槽型MOS器件中沟槽底部形成屏蔽膜层的方法 [P].

陈正嵘 .

中国专利 :CN105702570A ,2016-06-22

[5]

沟槽型功率器件的沟槽栅结构 [P].

常虹 .

中国专利 :CN211455690U ,2020-09-08

[6]

栅间氧化层的形成方法和屏蔽栅沟槽型器件的形成方法 [P].

陈莉芬 ;

周颖 ;

魏雪娇 .

中国专利 :CN113013028A ,2021-06-22

[7]

双层栅沟槽MOS结构中形成底部氧化层的方法 [P].

李陆萍 ;

丛茂杰 ;

金勤海 .

中国专利 :CN102610522A ,2012-07-25

[8]

具有底部厚氧化层的沟槽栅MOS结构 [P].

钱振华 ;

张艳旺 .

中国专利 :CN210926025U ,2020-07-03

[9]

在沟槽底部制作厚氧化层的方法 [P].

彭虎 ;

谢烜 ;

杨欣 .

中国专利 :CN101877314A ,2010-11-03

[10]

分离栅沟槽结构功率器件的形成方法 [P].

徐怀花 ;

季明华 ;

张汝京 ;

王欢 ;

杨龙康 .

中国专利 :CN113497121A ,2021-10-12

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