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沟槽型功率器件栅氧化层的制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201410043035.3
申请日：
2014-01-29
公开(公告)号：
CN104810268A
公开(公告)日：
2015-07-29
发明(设计)人：
李理
马万里
赵圣哲
申请人：
申请人地址：
100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层
IPC主分类号：
H01L2128
IPC分类号：
代理机构：
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人：
刘芳
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2015-08-26 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101622466581 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2014100430353 申请日:20140129 |
| 2015-07-29 | 公开 | 公开 |
| 2019-03-15 | 发明专利申请公布后的驳回 | 发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/28 申请公布日:20150729 |