功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法

被引：0

申请号：

CN202210725780.0

申请日：

2022-06-23

公开(公告)号：

CN115020487A

公开(公告)日：

2022-09-06

发明(设计)人：

邹有彪王全倪侠张荣徐玉豹

申请人：

申请人地址：

230000 安徽省合肥市高新区柏堰科技园香蒲路503号

IPC主分类号：

H01L2951

IPC分类号：

代理机构：

北京深川专利代理事务所(普通合伙) 16058

代理人：

李焕焕

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/51 申请日:20220623
2022-09-06	公开	公开

共 50 条

[1]

SiC功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法及SiC功率MOSFET器件 [P].

周卫 ;

严利人 ;

刘道广 ;

刘志弘 .

中国专利 :CN106340448A ,2017-01-18

[2]

沟槽型功率器件栅氧化层的制备方法 [P].

李理 ;

马万里 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN104810268A ,2015-07-29

[3]

一种栅氧化层的制备方法及MOSFET功率器件 [P].

夏经华 ;

杨霏 ;

李玲 ;

焦倩倩 ;

吴昊 ;

李永平 ;

田红林 ;

张文婷 ;

李嘉琳 .

中国专利 :CN108257859B ,2018-07-06

[4]

碳化硅MOSFET器件栅氧化层的制备方法、碳化硅MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐思晗 ;

暴杰 ;

林翰东 .

中国专利 :CN119132938A ,2024-12-13

[5]

SiC MOSFET器件的栅氧化层的制作方法 [P].

汪洋 ;

张耀辉 .

中国专利 :CN114256065A ,2022-03-29

[6]

一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法 [P].

李诚瞻 ;

刘可安 ;

赵艳黎 ;

周正东 ;

吴佳 ;

杨勇雄 ;

丁荣军 .

中国专利 :CN104637801A ,2015-05-20

[7]

制备栅氧化层的方法 [P].

沈耀庭 ;

周春 .

中国专利 :CN112382612A ,2021-02-19

[8]

栅氧化层的制备方法 [P].

张红伟 .

中国专利 :CN103943480A ,2014-07-23

[9]

新型功率MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐吉程 ;

袁力鹏 ;

范玮 .

中国专利 :CN109524472A ,2019-03-26

[10]

新型功率MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐吉程 ;

袁力鹏 ;

范玮 .

中国专利 :CN109524472B ,2024-07-19

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