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新型功率MOSFET器件及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811629070.8
申请日：
2018-12-29
公开(公告)号：
CN109524472B
公开(公告)日：
2024-07-19
发明(设计)人：
徐吉程
袁力鹏
范玮
申请人：
华羿微电子股份有限公司
申请人地址：
710018 陕西省西安市未央区经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L21/336
代理机构：
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人：
郭永丽;侯芳
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-07-19 | 授权 | 授权 |