共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
一种屏蔽栅沟槽型功率器件的制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511266291.3
申请日：
2025-09-05
公开(公告)号：
CN120751723A
公开(公告)日：
2025-10-03
发明(设计)人：
兰总金
申请人：
杭州富芯半导体有限公司
申请人地址：
311418 浙江省杭州市富阳区灵桥镇滨富大道135号（滨富合作区）
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H10D30/66
H10D62/10
代理机构：
北京清源汇知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11644
代理人：
刘瑞英
法律状态：
公开
国省代码：
浙江省
杭州市
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-10-03 | 公开 | 公开 |
| 2025-11-18 | 授权 | 授权 |
| 2025-10-24 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250905 |