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屏蔽栅沟槽型功率器件及工艺方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311183972.4
申请日：
2023-09-14
公开(公告)号：
CN117393602A
公开(公告)日：
2024-01-12
发明(设计)人：
潘嘉
杨继业
陈思彤
卢烁今
齐笑
申请人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路1399号
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L21/336
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
焦健
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-01-12 | 公开 | 公开 |
| 2024-01-30 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20230914 |